快闪存储单元及其制造方法

摘要

一种快闪存储单元，此快闪存储单元至少是由基底、隧穿氧化层、浮置栅极、绝缘层、控制栅极与栅间介电层所构成。隧穿氧化层设置于基底上。浮置栅极设置于隧穿氧化层上，且浮置栅极是由设置于隧穿氧化层上的第一导体层与设置于第一导体层上的第二导体层所构成，其中第二导体层的底部低于第一导体层上表面，且第二导体层的剖面为碗状。绝缘层设置于浮置栅极之间。多个控制栅极分别设置于浮置栅极上。栅间介电层设置于控制栅极与浮置栅极之间。

主权项

1.一种快闪存储单元，其特征在于，包括：一基底；一隧穿氧化层，设置于该基底上；多个浮置栅极，设置于该隧穿氧化层上，该浮置栅极包括：一第一导体层，设置于该隧穿氧化层上；一第二导体层，设置于该第一导体层上，该第二导体层的底部低于该第一导体层上表面，且该第二导体层的剖面为碗状；一绝缘层，设置于该些浮置栅极之间；多个控制栅极，分别设置于该些浮置栅极上；以及一栅间介电层，设置于各该些控制栅极与各该些浮置栅极之间。