陶瓷电子零件烧成用载置器

摘要

本发明涉及用烧成方法制造陶瓷电子零件时所使用的载置器。更详细地说，就是涉及具备以氧化铝、莫来石作为主要成分的陶瓷质基体的陶瓷电子零件烧成用载置器。本发明的目的是：提供一种可以得到均匀特性电子零件的陶瓷电子零件烧成用载置器，该载置器能满足对载置器的大型化和装载间隔的致密化以及烧成时间缩短的要求，同时能使载置在载置器上的所有的被烧成体与其载置位置无关而可以在均匀的温度下烧成。其解决方案是，对于具有由以氧化铝及莫来石为主要成分的陶瓷材料构成的基体和设置在基体上的防止与被烧成体反应的被覆层的陶瓷电子零件烧成用载置器，以使基体及被覆层的全部在20℃下的热传导率为2.7~15.0W/mk的材料构成。

主权项

1.一种陶瓷电子零件烧成用载置器,该陶瓷电子零 件烧成用载置器具有由以氧化铝及莫来石为主要 成分的陶瓷材料构成的基体和设置在该基体上的 防止与被烧成体反应的被覆层,其特征在于: 该莫来石具有Al2O3/SiO2摩尔比为1.6~2.4的组成,该莫 来石与该氧化铝的质量比为15/85~50/50,该被覆层为 由选自氧化锆、氧化镁、氧化铝、氧化铝-氧化锆 及尖晶石中的至少一种材质构成的单层结构,或者 至少由该材质构成中间层或表层的多层结构,该基 体及该被覆层的全部在20℃下的热传导率为2.7~15.0 W/mk。 2.依据申请专利范围第1项所述的陶瓷电子零件烧 成用载置器,其中,上述基体及上述被覆层的全部 在20℃下的热扩散率为1.2510-6~6.110-6m2/s。 3.依据申请专利范围第1项或第2项所述的陶瓷电子 零件烧成用载置器,其中,上述基体及上述被覆层 的全部在1200℃下的热传导率为5.0 ~20.0W/mk。 4.依据申请专利范围第1项所述的陶瓷电子零件烧 成用载置器,其中,上述莫来石具有Al2O3/SiO2摩尔比 为1.8~2.1的组成。 图式简单说明: 第1图是表示通过间隔撑柱装载了10个本发明的载 置器的例子的侧视图。