| 发明名称 | 超结半导体器件结构和方法 | ||
| 摘要 | 在一个实施例中，在一半导体材料体中形成一个电荷补偿区。导电层和电荷补偿层耦合。在进一步的实验例中，电荷补偿区包括一由相反导电类型的半导体层填入的槽。 | ||
| 申请公布号 | CN1822391A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN200510022822.0 | 申请日期 | 2005.12.08 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 加里·H·莱厄切尔特;彼得·J·兹德贝尔;戈登·M·格里芙娜 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种超结开关器件，包括：半导体材料体；在该半导体材料体中形成的电荷补偿区；和第一导电层，形成在该半导体材料体上并和电荷补偿区耦合。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||