发明名称 半导体装置
摘要 本发明提供一半导体装置,其具有有机化合物层夹置在一对导电层之间的简易结构之储存元件;及其制造方法。利用此特性,提供一具有非挥发性、可另行记录、并且容易制造的储存电路之半导体装置及其制造方法。根据本发明的半导体装置具有设置在绝缘层上的复数场效电晶体和设置在复数场效电晶体上的复数储存元件。各个复数场效电晶体使用单晶半导体层当作通道部位,及各个复数储存元件是依序堆叠第一导电层、有机化合物层、和第二导电层之元件。
申请公布号 TW200629526 申请公布日期 2006.08.16
申请号 TW094136564 申请日期 2005.10.19
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 安部宽子;岩城裕司;汤川干央;山崎舜平;荒井康行;渡边康子;守屋芳隆
分类号 H01L27/10;G11C13/00;H01L51/40 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本