发明名称 |
半导体存储器件及其检查方法 |
摘要 |
近年的系统LSI根据系统侧的要求,在1个芯片上载放多个容量和位宽度不同的RAM。但是,在检查多个RAM时,即使对各RAM准备了专用端子,对于容量不同的RAM,由于内部X、Y地址分配不同,所以不能用同一测试图形(例如HALF-MARCH)检查,必需按同一容量RAM进行分组并检查,导致检查时间变长。作为RAM控制信号设置外部地址信号和测试专用地址信号,在后者的情况下,使1个芯片内的容量最大的RAM3的X、Y地址数和其它RAM4、5相同,使各RAM3~5的X、Y地址分配相同。 |
申请公布号 |
CN1269135C |
申请公布日期 |
2006.08.09 |
申请号 |
CN03127505.2 |
申请日期 |
2003.08.05 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
贞方博之;黑田直喜 |
分类号 |
G11C11/34(2006.01);G11C29/00(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/34(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
程天正;叶恺东 |
主权项 |
1.一种半导体存储器件,其特征在于,具有分别具备行译码电路和列译码电路的设置在同一衬底上的存储空间大小不同的多个RAM,即使对于在所述多个RAM内地址空间不是最大的行译码电路及列译码电路,也以与地址空间为最大的相同的信号数分别提供测试用内部输入地址,地址空间不是最大的RAM的所述行译码电路及所述列译码电路在虚拟存储空间中访问时产生与哪里都不连接的虚拟存储空间译码信号,中止对RAM的访问。 |
地址 |
日本大阪府门真市 |