半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明的课题是在于提供一种以无铅在引线框架上晶粒安装(die mount)连接功率半导体元件之功率半导体装置。其解决手段是在热膨胀率差大的功率半导体元件1a与引线框架2的晶粒安装连接中，以具有260℃以上的融点的金属间化合物层或具有260℃以上400℃以下的融点的无铅焊锡来进行连接，同时藉由具有260℃以上的融点的金属层来缓冲依温度周期而发生的热应力。可进行一在反流(reflow)时也不会溶融，对热应力也不会有使发生晶片裂缝的情况之无铅的晶粒安装连接。