发明名称 光存储介质及其制造方法
摘要 本发明提供一种光存储介质,此光存储介质包括:在一个面上具有第1信息坑的第1衬底;在第1衬底的具有第1信息坑的面上,反映第1信息坑的凹凸而形成的第1反射层;在第1反射层上形成的、在和第1反射层相对一侧的面上具有第2信息坑的第2衬底;在第2衬底的具有第2信息坑的面上,反映第2信息坑的凸凹而形成的第2反射层;在第2反射层上形成的覆盖层。作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度(d<SUB>1</SUB>)和再生信号用的激光的波长λ以及所述第2衬底的折射率(n<SUB>1</SUB>)满足λ/(5n<SUB>1</SUB>)≤d<SUB>1</SUB>≤λ/(3n<SUB>1</SUB>),而且,d<SUB>1</SUB>≠λ/(4n<SUB>1</SUB>)的关系式。作为所述第2反射层的凸凹之差的第2信息坑深度d<SUB>2</SUB>和再生信号用的激光的波长λ以及所述覆盖层的折射率n<SUB>2</SUB>满足λ/(5n<SUB>2</SUB>)≤d<SUB>2</SUB>≤λ/(3n<SUB>2</SUB>),而且,d<SUB>2</SUB>≠λ/(4n<SUB>2</SUB>)的关系式。
申请公布号 CN1768382A 申请公布日期 2006.05.03
申请号 CN200480008655.8 申请日期 2004.04.01
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 富山盛央;阿部伸也;川口优子;大野锐二
分类号 G11B7/24(2006.01) 主分类号 G11B7/24(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汪惠民
主权项 1、一种光存储介质,包括:衬底,其在一个面上具有信息坑;反射层,其在所述衬底的具有所述信息坑的面上,反映所述信息坑的凹凸而形成;覆盖层,其在所述反射层上形成,作为所述反射层的凹凸之差的信息坑深度d和信号再生用的激光的波长λ以及所述覆盖层的折射率n满足λ/(5n)≤d≤λ/(3n),而且,d≠λ/(4n)的关系式。
地址 日本大阪府