半导体装置及其制造方法

摘要

本发明设在浮动闸电极(9)之下方之绝缘膜包含有：第1绝缘膜(6)，其位于浮动闸电极下方之两端部；和第2绝缘膜(8)，其被第1绝缘膜包夹而位于浮动闸电极下方之中间部。第1绝缘膜和第2绝缘膜以不同之步骤形成，第1绝缘膜之膜厚大于第2绝缘膜之膜厚。另外，第1绝缘膜之从第1绝缘膜之上面到连接第2绝缘膜之上面的部份系带圆弧状。利用此种构造，当浮动闸电极和矽基板间之绝缘膜的膜厚，在端部之增加大于在部之增加的情况时，即可加大该增加部之自由度，且可以容易控制其增加度。