| 主权项 |
1.一种氮化物半导体,其特征在于:包括在基板上依 序含有由氮化物半导体形成的n型层、发光层及p 型层,其中发光层系含有以频带间隙能量大于井型 层之障壁层包挟该井型层之量子井型构造;而该障 壁层系含有在比井型层更高温下成长之障壁层C、 及在比障壁层C更低温下成长之障壁层E,且障壁层C 系在相对于障壁层E之基板侧的位置上。 2.如申请专利范围第1项之氮化物半导体,其中氮化 物半导体系以通式InxAlyGal-x-yN(0≦x<1;0≦y<1;0≦x+y<1 )为代表。 3.如申请专利范围第1或2项之氮化物半导体,其中 障壁层系进一步具有在比障壁层C更低温下成长之 障壁层A,且依序积层障壁层A、障壁层C、障壁层E 。 4.如申请专利范围第3项之氮化物半导体,其在障壁 层A和障壁层C间具有在比障壁层C更低温下成长之 障壁层B。 5.如申请专利范围第1项之氮化物半导体,其在障壁 层C和障壁层E间具有在比障壁层C更低温下成长之 障壁层D。 6.如申请专利范围第1项之氮化物半导体,其中障壁 层C之成长温度和井型层之成长温度间之差系为50 ℃以上。 7.如申请专利范围第1项之氮化物半导体,其中障壁 层C之成长温度和障壁层E之成长温度间之差系为50 ℃以上。 8.如申请专利范围第3项之氮化物半导体,其中障壁 层C之成长温度和障壁层A之成长温度间之差系为50 ℃以上。 9.如申请专利范围第1项之氮化物半导体,其中井型 层之成长温度间系为600℃以上1000℃以下。 10.如申请专利范围第2项之氮化物半导体,其中井 型层系由GaInN所形成。 11.如申请专利范围第2项之氮化物半导体,其中障 壁层系由GaInN或GaN所形成。 12.如申请专利范围第1项之氮化物半导体,其中含 有为n型掺杂剂之井型层及/或障壁层。 13.如申请专利范围第12项之氮化物半导体,其中n型 掺杂剂为Si。 14.如申请专利范围第12项之氮化物半导体,其中n型 掺杂剂为Ge。 15.如申请专利范围第12项之氮化物半导体,其中井 型层及/或障壁层之n型掺杂剂的浓度系周期性变 化。 16.如申请专利范围第15项之氮化物半导体,其系交 互地积层含n型掺杂剂之层和无掺杂之层而成。 17.如申请专利范围第15或16项之氮化物半导体,其 中n型掺杂剂浓度低的层之厚度系大于含n型掺杂 剂浓度高的层之厚度。 18.如申请专利范围第12项之氮化物半导体,其中存 在有n型掺杂剂之层的n型掺杂剂浓度系为11016cm-3 以上51019cm-3以下。 19.一种氮化物半导体发光元件,其在如申请专利范 围第1至18项中任一项所记载之氮化物半导体之n型 层上系设有负极,而且在p型层上设有正极。 20.一种发光二极体,其系使用如申请专利范围第1 至18项中任一项所记载之氮化物半导体。 21.一种雷射元件,其系使用如申请专利范围第1至18 项中任一项所记载之氮化物半导体。 22.一种灯,其系使用如申请专利范围第1至18项中任 一项所记载之氮化物半导体。 23.一种氮化物半导体之制造方法,其特征为:在基 板上依序积层含有由氮化物半导体形成的n型层、 量子井型构造之发光层及p型层而制造具有量子井 型构造之氮化物半导体时,量子井型构造中的障壁 层之成长系于井型层成长后昇温到比井型层更高 温下使成长后降温,并在已降温状态下进一步地进 行障壁层之成长。 24.如申请专利范围第23项之氮化物半导体之制造 方法,其系在昇温前另外地进行障壁层之成长。 25.如申请专利范围第23或24项之氮化物半导体之制 造方法,其系在昇温及降温中之任一项步骤中进一 步地成长障壁层。 26.如申请专利范围第23项之氮化物半导体之制造 方法,其中障壁层系含有n型掺杂剂。 27.一种氮化物半导体发光元件之制造方法,其系包 括除去如申请专利范围第1至18项中任一项所记载 的氮化物半导体之发光层及p型层之一部分而露出 n型层的步骤,在经露出的n型层上设置负极之步骤, 以及在p型层上设置正极之步骤。 28.一种发光二极体之制造方法,其系包括在如申请 专利范围第19项所记载之氮化物半导体发光元件 上设置导线之步骤。 29.一种雷射元件之制造方法,其系包括在如申请专 利范围第19项所记载之氮化物半导体发光元件上 设置导线之步骤。 30.一种灯之制造方法,其系包括在如申请专利范围 第19项所记载之氮化物半导体发光元件上设置具 有萤光体的覆盖层之步骤。 图式简单说明: 第1图系显示在实施例1中氮化物半导体发光层之 量子井型构造成长温度形态之曲线图。 第2图系显示在实施例2中氮化物半导体发光层之 量子井型构造成长温度形态之曲线图。 第3图系显示在比较例1中氮化物半导体发光层之 量子井型构造成长温度形态之曲线图。 第4图系显示在比较例2中氮化物半导体发光层之 量子井型构造成长温度形态之曲线图。 第5图系显示在实施例1及2中经时变化结果之曲线 图。 第6图系显示在比较例1及2中经时变化结果之曲线 图。 |
