| 主权项 |
1.一种光电装置,其特征乃具备 于基板上,向第1方向延伸存在的资料线, 和延伸存在于交叉在前述资料线之第2方向的扫描 线,和对应于前述资料线及前述扫描线之交叉范围 ,加以配置之画素电极及薄膜电晶体, 和形成于较前述薄膜电晶体之半导体层为上层,且 交叉前述画素为下层,电气连接于画素电极电之储 存电容, 和配置于前述资料线及前述画素电极间之上侧遮 光膜; 前述上侧遮光膜乃至少订定画素开口范围之角部, 前述扫描线及前述资料线以及前述储存电容乃形 成于遮光范围者。 2.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,以与前 述上侧遮光膜同一膜加以形成,具备为电气性连接 前述薄膜电晶体和前述画素电极间的遮光性之中 继膜,于前述遮光膜和前述中继膜规定前述画素开 口范围。 3.如申请专利范围第2项之光电装置,其中,前述上 侧遮光膜乃连接于成为前述储存电容之一方之电 极。 4.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,做为前 述画素电极之基材所配置之层间绝缘膜,更成为前 述层积构造之一部分, 于该层间绝缘膜,形成为达成与前述画素电极电气 性连接的连接孔, 该连接孔之至少内表面中,形成包含前述钛或该化 合物之膜。 5.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述资 料线乃做为与构成前述储存电容之一对之电极之 一方的同一膜而形成。 6.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,更具备 与构成前述储存电容之一对之电极之至少一方,将 前述画素电极电性连接的中继层,做为前述层积构 造的一部分。 7.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述中 继层乃由铝膜及氮化膜所成。 8.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,构成前 述扫描线、前述资料线、及前述储存电容之一对 之电极的至少一个乃由遮光性材料所成。 9.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,构成前 述储存电容之一对之电极之一方,乃构成沿前述第 2方向而形成的容量线之一部分的同时, 该容量线乃包含低阻抗膜之多层膜所成。 10.如申请专利范围第9项之光电装置,其中,前述容 量线乃于其上层具有前述低阻抗膜的同时,于该下 层具有光吸收性之材料所成之膜。 11.如申请专利范围第9项之光电装置,其中,前述低 阻抗膜乃由铝或铝之合金所成。 12.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述储 存电容乃由前述介电质膜及挟持前述介电质膜所 成上部电极及下部电极所成,经由包含于前述基板 之表面,沿平行之面堆积之第1部分,和沿对于前述 基板之表面提升之平面而堆积之第2部分,该剖面 形状包含凸形状者。 13.如申请专利范围第12项之光电装置,其中,前述储 存电容之前述凸形状乃沿前述扫描线及前述资料 线之至少一方而形成。 14.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述储 存电容乃由前述介电质膜及挟持前述介电质膜所 成上部电极及下部电极所成,前述介电质膜及由氮 化矽膜及氧化矽膜所成。 15.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,做为前 述画素电极之基材所配置之层间绝缘膜更成为前 述层积构造之一部分,前述层间绝缘膜之表面乃施 以平坦化处理。 16.如申请专利范围第15项之光电装置,其中,前述画 素电极乃该复数个成平面排列的同时,包含于第1 之周期为进行反转驱动之第1之画素电极群及于与 该第1之周期互补之第2周期,为进行反转驱动之第2 之画素电极群; 前述资料线及前述遮蔽层之至少一方乃包含将前 述扫描线之上侧,交叉于该扫描线延伸之本线部及 从该本线部沿前述扫描线展开之展开部; 于对向配置于前述基板之对向基板上,具备对向于 前述复数之画素电极的对向电极, 于前述基板上之前述画素电极之基材表面,对应前 述展开部之存在,由平面视之,于成为挟着前述扫 描线相邻接的画素电极之间隙的范围,形成凸部。 17.如申请专利范围第15项之光电装置,其中,前述画 素电极乃该复数个成平面排列的同时,包含于第1 之周期为进行反转驱动之第1之画素电极群及于与 该第1之周期互补之第2周期,为进行反转驱动之第2 之画素电极群; 更具备在对向配置于前述基板之对向基板上,对向 于前述复数之画素电极的对向电极, 和由平面视之,形成于成为相邻接之画素电极之间 隙的范围的凸部; 前述凸部乃经由蚀刻,于前述凸部上,除去暂时形 成之平坦化膜,且于该除去后,后退前述凸部之表 面所成之表面阶差成为缓和的凸部。 18.如申请专利范围第15项之光电装置,其中,前述画 素电极乃该复数个成平面排列的同时,包含于第1 之周期为进行反转驱动之第1之画素电极群及于与 该第1之周期互补之第2周期,为进行反转驱动之第2 之画素电极群; 具备在对向配置于前述基板之对向基板上,对向于 前述复数之画素电极的对向电极, 和由平面视之,形成为相邻接之画素电极之间隙的 范围,为形成凸部,与该画素电极下,且与前述资料 线及前述遮蔽层之至少一方做为同一层形成之凸 图案。 19.一种光电装置,其特征乃具备 于基板上,向第1方向延伸存在的资料线, 和延伸存在于交叉在前述资料线之第2方向的扫描 线, 和对应于前述资料线及前述扫描线之交叉范围,加 以配置之画素电极及薄膜电晶体, 和形成于较前述薄膜电晶体之半导体层为上层,且 较前述画素电极为下层,电气性连接于画素电位的 储存电容, 和配置于前述资料线及前述画素电极间之遮蔽层, 和形成于较前述薄膜电晶体之半导体层为下层之 下侧遮光膜; 前述下侧遮光膜乃至少订定画素开口范围之角部, 前述扫描线及前述资料线以及前述储存电容及前 述遮蔽层乃形成于遮光范围者。 20.如申请专利范围第19项之光电装置,其中,前述遮 蔽层乃具备遮光性。 图式简单说明: 图1系表示设置在构成针对在本发明第1实施型态 之光电装置的画像显示范围之矩阵状之复数画素 之各种元件、配线等之等效电路之电路图。 图2系形成针对在本发明第1实施型态之光电装置 的资料线、扫描线、画素电极之TFT阵列基板之相 邻接之复数画素群之平面图。 图3系只取出图2之要部之平面图。 图4为图2之A-A'之剖面图。 图5系形成针对在本发明第2实施型态之光电装置 的资料线、扫描线、画素电极之TFT阵列基板之相 邻接之复数画素群之平面图。 图6为图5之A-A'之剖面图。 图7系表示氮化膜之形成型态(资料线上及画像显 示范围外)之平面图。 图8为图2之B-B'之剖面图。 图9系表示因应一画素之储存容量的立体构成斜视 图。 图10系表示成为对于图9之比较例之储存容量之构 成斜视图。 图11系关于水平电场之发生机构而为了说明之说 明图。 图12系与图4相同意思,而表示成为设置为了防止水 平电场发生之凸部之型态的构成图。 图13为图2之G-G'之剖面图,而表示成为设置为了防 止水平电场发生之凸部之型态的构成图。 图14系关于第2实施型态之变形型态,并关于为了形 成图12及图13所示之凸部之具体型态(利用资料线 、遮蔽层及第2中继层之型态)而表示之斜视图。 图15系关于第2实施型态之变形型态,并关于为了形 成图12及图13所示之凸部之具体型态(利用资料线 、遮蔽层及第3中继层之型态)而表示之斜视图。 图16系表示对于以往之画素电极之电压施加方法 之时间图。 图17系表示对于有关本发明之第5实施型态之画素 电极之电压施加方法之时间图。 图18系有关本发明之第6实施型态,并与图4相同意 思的图,其中表示于为了谋求与画素电极之电气接 续之接触孔内表面成为形成Ti膜之型态之构成的 图。 图19系将针对本发明之实施型态之光电装置的TFT 阵列基板,与形成在其上方之各构成要素同时从对 向基板侧来看之平面图。 图20系为图19之H-H'之剖面图。 图21系表示成为为本发明之电子机器之实施型态 的投射型彩色显示装置之一例的彩色液晶投影机 图示剖面图。 |
