| 摘要 |
<p>Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur gleichzeitigen Rekristallisierung und Dotierung von Halbleiterschichten, insbesondere zur Herstellung von kristallinen Silicium-Dünnschichtsolarzellen. In diesem Verfahren wird in einem ersten Schritt eine Substratbasisschicht 1 hergestellt, in einem darauf folgenden Schritt auf dieser ein mindestens eine dotierte Teilschicht aufweisendes Zwischenschichtsystem 2 abgeschieden, in einem darauf folgenden Schritt eine undotierte oder ebenfalls dotierte Absorberschicht 3 auf dem Zwischenschichtsystem 2 abgeschieden und in einem Rekristallisationsschritt die Absorberschicht 3 aufgeheizt, geschmolzen, abgekühlt und getempert. In einer vorteilhaften Verfahrensmodifikation kann auch statt einer undotierten Capping-Schicht ein mindestens eine Teilschicht aufweisendes Capping-Schichtsystem 4 auf der Absorberschicht 3 abgeschieden werden.</p> |
