| 主权项 |
1.一种PIN二极体的制造方法,包括: 提供一晶片,该晶片具有一正面与一背面; 于该晶片的该正面形成一第一导电态层; 提供一承载晶片; 黏合该承载晶片与该晶片之该正面; 研磨该晶片之该背面,以缩减该晶片之厚度; 于该晶片之该背面形成一第二导电态层;以及 去除该承载晶片,以形成由该第一导电态层、该晶 片与该第二导电态层组成之PIN二极体。 2.如申请专利范围第1项所述之PIN二极体的制造方 法,其中去除该承载晶片之后更包括定义该第二导 电态层与该晶片。 3.如申请专利范围第1项所述之PIN二极体的制造方 法,其中该晶片的浓度系小于1013/cm3。 4.如申请专利范围第1项所述之PIN二极体的制造方 法,其中研磨该晶片之该背面后的该晶片的厚度系 介于90m~110m。 5.如申请专利范围第1项所述之PIN二极体的制造方 法,其中于该晶片的该正面形成一第一导电态层的 方法包括高温扩散制程。 6.如申请专利范围第5项所述之PIN二极体的制造方 法,其中扩散的杂质浓度系大于1020/cm3。 7.如申请专利范围第1项所述之PIN二极体的制造方 法,其中该第一导电态层的厚度系介于10m~20m 之间。 8.如申请专利范围第1项所述之PIN二极体的制造方 法,其中黏合该承载晶片与该晶片的方法包括晶片 结合(wafer bonding)技术。 9.如申请专利范围第1项所述之PIN二极体的制造方 法,其中研磨该晶片的方法包括化学机械研磨法( CMP)。 10.如申请专利范围第1项所述之PIN二极体的制造方 法,其中于该晶片之该背面形成一第二导电态层的 方法包括高温扩散制程。 11.如申请专利范围第10项所述之PIN二极体的制造 方法,其中扩散的杂质浓度系大于1020/cm3。 12.如申请专利范围第1项所述之PIN二极体的制造方 法,其中该第二导电态层的厚度系介于10m~20m 之间。 13.如申请专利范围第1项所述之PIN二极体的制造方 法,其中去除该承载晶片的方法包括化学机械研磨 法。 图式简单说明: 图1绘示为习知一种PIN二极体制造方法所制作的PIN 二极体之结构剖面图。 图2绘示为习知另一种PIN二极体制造方法所制作的 PIN二极体之结构剖面图。 图3A至图3F绘示为依照本发明一较佳实施例PIN二极 体的制造方法之制作流程剖面图。 |
