| 主权项 |
1.一种以离子束溅镀双靶材料制镀混合光学薄膜 之方法,其包括下列步骤: A.提供一高、低折射率之双靶材于真空腔之靶材 座上,并令真空腔进行抽高真空处理,供使双靶材 随位移而受离子束撞击进行溅射出游离分子(或原 子)。 B.导入混合气体及位移双靶材进行离子束溅镀,以 使玻璃基板生成氧化薄膜,供以建立一薄膜折射率 与靶材位置的实验曲线。 C.利用所建立的实验曲线,依要求的薄膜折射率来 移动靶材的位置及监控溅镀时薄膜厚度,可不破真 空就能在玻璃基板上镀出各种不同折射率或折射 率渐变之多层膜光学干涉滤光片制品。 2.如申请专利范围第1项所述之以离子束溅镀双靶 材料制镀混合光学薄膜之方法,其步骤A中之双靶 材为一高折射率之钽(Ta)靶材及一低折射率之矽(Si )靶材。 3.如申请专利范围第1项所述之以离子束溅镀双靶 材料制镀混合光学薄膜之方法,其步骤A中之抽高 真空处理,其真空腔需达到10-7torr或10-6torr的真空 度。 4.如申请专利范围第1项所述之以离子束溅镀双靶 材料制镀混合光学薄膜之方法,于步骤B中导入混 合气体系由氩气、氧气或其混合气体所混合之气 体,且真空腔导入混合气体之工作气压需保持在81 0-5torr到510-4torr的范围之间。 5.如申请专利范围第4项所述之以离子束溅镀双靶 材料制镀混合光学薄膜之方法,其导入氩气是利用 气量调节器充入离子源中而导入真空腔中视其抽 气速率而定其流量,此流量可从5sccm到50sccm,而导入 之氧气系经另一气量调节器导入真空腔中,其流量 可从10sccm到50sccm。 6.如申请专利范围第1项所述之以离子束溅镀双靶 材料制镀混合光学薄膜之方法,于步骤B中该离子 束系由离子源所射出,其离子束电压(ion beam voltage) 范围可从500V到1500V,离子束电流(ion beam current)范围 可从20mA到500mA。 7.如申请专利范围第1项所述之以离子束溅镀双靶 材料制镀混合光学薄膜之方法,于步骤B中玻璃基 板生成氧化薄膜之制程中,其真空腔顶部并以旋转 基板座上架构玻璃基板,可利用旋转基板架调整回 转速率,使生成氧化薄膜能达到镀膜均匀,同时利 用石英膜厚计或是光学膜厚计来监控所需要的薄 膜厚度而停止溅镀,且旋转基板座的回转速率可控 制介于20rpm到1000rpm之间者。 8.如申请专利范围第1项所述之以离子束溅镀双靶 材料制镀混合光学薄膜之方法,于步骤B中导入混 合气体也可进一步由另一支离子源充入氩气、氧 气或其混合气体,使该离子源放电腔施放能量而能 解离成电浆的氩离子及氧离子,此氩离子、氧离子 作以离子辅助溅镀,一样可与双靶材溅射出分子( 或原子)化合在玻璃基板上生成氧化薄膜,具有加 快调节镀膜速率之特性者。 图式简单说明: 第一图所示本发明之制造流程示意图。 第二图所示本发明之具体实施例图。 第三图所示本发明靶材座上承载双靶材之示意图 。 第四图所示本发明折射率与双靶材位置关系示意 图。 第五图所示本发明靶材位置与薄膜成份关系示意 图。 |
