| 摘要 |
本发明是在于提供一种在晶圆的面内全域中可使具有良好均一性的薄膜气相成长之气相成长装置。其系至少具备：反应炉(1)，其系可密闭；晶圆收容体(晶圆夹具3)，其系设置于该反应炉内，在所定的位置具有载置晶圆(W)的1或2以上的收容部(圆形的凹孔3a)；气体供给手段(气体导入管7)，其系用以朝向晶圆供给原料气体；及加热手段(加热器5)，其系用以加热上述晶圆；且，在上述反应炉内一面利用上述加热手段经由上述晶圆收容体来加热晶圆，一面在高温状态下供给原料气体，藉此于上述晶圆表面形成成长膜，上述晶圆收容体系使上述晶圆载置于收容部时，晶圆表面(10)会位于比晶圆收容体的上面(3b)更上方，且藉由上述晶圆的周缘部的倒角加工来形成于侧部的顶点(11)会位于比晶圆收容体的上面(3b)更下方。 |
