| 主权项 |
1.一种制造反及快闪元件之方法,包括下列步骤: 在一半导体基板上备制一用于选择一快闪单元之 汲极端子的汲极选择电晶体,以及一用于选择该快 闪单元之源极端子之源极选择电晶体,其中该汲极 选择电晶体及该源极选择电晶体都具有位于该半 导体基板上的汲极区与一源极区; 在该半导体基板上形成一第一层间绝缘膜; 去除该第一层间绝缘膜之一部分,藉此形成一源极 线接触通孔,其中会曝露位于该源极线接触通孔底 端的该源极选择电晶体之该源极区; 去除该第一层间绝缘膜之一部分,藉此形成一汲极 接触通孔,其中会曝露位于该汲极接触通孔底端的 该汲极选择电晶体之该汲极区; 在该源极线接触通孔与该汲极接触通孔中分别形 成一源极线填塞物及一汲极接触填塞物;以及 形成一连接至该汲极接触通孔的位元线,及一连接 至该源极线填塞物的共同源极线接触。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中形成该位元线 及该共同源极线接触之步骤包括下列步骤: 在包含该源极线填塞物及该汲极接触填塞物的该 半导体基板上形成至少一绝缘膜; 选择性蚀刻该绝缘膜,并且在该绝缘膜中形成一第 一渠沟及一第二渠沟,其中该第一渠沟被形成在该 汲极接触填塞物上,而该第二渠沟被形成在该源极 线填塞物上; 选择性蚀刻该绝缘膜,并且在该第一渠沟下方形成 一第一通孔,以及在该第二渠沟下方形成一第二通 孔,其中该第一通孔会曝露该汲极接触填塞物,而 该第二通孔会曝露该源极线填塞物; 将一金属膜填入该第一渠沟、该第二渠沟、该第 一通孔及第二通孔;以及 形成一通过该第一渠沟和该第一通孔的位元线,以 及一通过该第二渠沟和该第二通孔的共同源极线 接触。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中该第一渠沟大 于该第二渠沟。 4.如申请专利范围第2项之方法,其中形成该绝缘膜 之步骤包括下列步骤: 在包含该源极线填塞物及该汲极接触填塞物的该 半导体基板上形成一第二层间绝缘膜; 在该第二层间绝缘膜上形成一蚀刻停止层;以及 在一蚀刻停止层上形成一第三层间绝缘膜。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中藉由选择性蚀 刻该第三层间绝缘膜、该蚀刻停止层124及该第二 层间绝缘膜之多个部分,以此方式形成该第一渠沟 及该第二渠沟。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中该第一通孔及 该第二通孔都是系形成在该第二层间绝缘膜中。 7.如申请专利范围第2项之方法,进一步包括下列步 骤:在位于该源极线接触通孔底端所曝露的该源极 区及位于该汲极接触通孔底端所曝露的该汲极区 中植入离子。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中形成该源极线 填塞物及该汲极接触填塞物之步骤包括下列步骤: 在包含该源极线接触通孔及该汲极接触通孔的整 个结构上形成一导电膜;以及 使用该第一层间绝缘膜作为一停止层,对该导电膜 实施一化学机械研磨制程。 9.如申请专利范围第8项之方法,其中该导电膜系向 一多晶矽膜所形成。 10.一种制造反及快闪元件之方法,包括下列步骤: 在一半导体基板上备制一用于选择一快闪单元之 汲极端子的汲极选择电晶体,以及一用于选择该快 闪单元之源极端子之源极选择电晶体,其中该汲极 选择电晶体及该源极选择电晶体都具有位于该半 导体基板上的汲极区与一源极区; 在该半导体基板上形成一第一层间绝缘膜; 去除该第一层间绝缘膜之一部分,藉此形成一源极 线接触通孔,其中会曝露位于该源极线接触通孔底 端的该源极选择电晶体之该源极区; 去除该第一层间绝缘膜之一部分,藉此形成一汲极 接触通孔,其中会曝露位于该汲极接触通孔底端的 该汲极选择电晶体之该汲极区; 在该源极线接触通孔与该汲极接触通孔中分别形 成一源极线填塞物及一汲极接触填塞物; 在包含该源极线填塞物及该汲极接触填塞物的该 半导体基板上形成一第二层间绝缘膜; 在该第二层间绝缘膜上形成一蚀刻停止层; 在一蚀刻停止层上形成一第三层间绝缘膜; 选择性蚀刻该第三层间绝缘膜、该蚀刻停止层以 及该第二层间绝缘膜之多个部分,并且在该汲极接 触填塞物上形成一第一渠沟,并且在该源极线填塞 物上形成一第二渠沟;该第一渠沟大于该第二渠沟 ; 选择性去除该第二层间绝缘膜,并且在该第一渠沟 下方形成一第一通孔,以及在该第二渠沟下方形成 一第二通孔,其中该第一通孔会曝露该汲极接触填 塞物,而该第二通孔会曝露该源极线填塞物; 将一金属膜填入该第一渠沟、该第二渠沟、该第 一通孔及第二通孔;以及 形成一通过该第一渠沟和该第一通孔的位元线,以 及一通过该第二渠沟和该第二通孔的共同源极线 接触。 11.如申请专利范围第10项之方法,进一步包括下列 步骤:在位于该源极线接触通孔底端所曝露的该源 极区及位于该汲极接触通孔底端所曝露的该汲极 区中植入离子。 图式简单说明: 图1显示用于解说相关技术之制造快闪元件之方法 的断面图; 图2显示用于解说习知问题的SEM(扫描式电子显微 镜)相片; 图3显示根据本发明之反及快闪元件阵列; 图4A到4G显示沿图3所示之III-III'线的反及快闪元件 断面图,用于解说根据本发明之制造反及快闪元件 的方法; 图5显示蚀刻一源极接触后的SEM相片;以及 图6显示形成一汲极接触通孔后的SEM相片。 |
