| 发明名称 | 具有偏置磁层结构的磁场元件 | ||
| 摘要 | 一种磁场元件，该元件被提供有第一磁层结构(7)、具有基本上为固定磁化(M<SUB>11</SUB>)方向的第二磁层结构(11)、以及将第一磁层结构和第二磁层结构彼此分开的隔离层结构(9)的层叠。该磁场元件还被提供有将纵向偏置场施加给第一磁层结构的偏置装置，该偏置装置包括位于第一磁层结构对面的薄偏置磁层结构(3)。偏置磁层结构提供垂直于第二磁层结构磁化方向的磁耦合场分量(M<SUB>3</SUB>)并且被非磁层结构(5)从第一磁层结构分隔开。第一磁层结构被铁磁耦合到偏置磁层结构。磁场元件适合于很高密度的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN1242429C | 申请公布日期 | 2006.02.15 |
| 申请号 | CN01800468.7 | 申请日期 | 2001.02.23 |
| 申请人 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 发明人 | M·F·吉利斯;K·－M·H·伦森;A·E·T·奎珀 |
| 分类号 | H01F10/32(2006.01);H01L43/08(2006.01);G11B5/39(2006.01);G11C11/16(2006.01) | 主分类号 | H01F10/32(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种磁场元件，该元件被提供有第一磁层结构、具有为固定磁化方向的第二磁层结构、以及将第一磁层结构和第二磁层结构相互分开的隔离层结构的层叠，该磁场元件还被提供有将纵向偏置场施加给第一磁层结构的偏置装置，其中偏置装置包括位于第一磁层结构对面的偏置磁层结构，该偏置磁层结构提供垂直于第二磁层结构磁化方向的磁耦合场分量并且被非磁层结构从第一磁层结构中分开，由此第一磁层结构被铁磁耦合到偏置磁层结构。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||