控制应变之三族氮化物之发光装置

摘要

本发明揭示一种三族氮化物之发光装置，在该装置中，一三元或四元发光层经组态以控制相分离之程度。在一些实施例中，该发光层中任一点处之InN组合物与该发光层中之平均InN组合物间之差小于20％。在一些实施例中，相分离之控制系藉由控制一具有与该发光层之组合物相同之组合物之松散独立式层中之晶格常数与一基极区中之晶格常数之比率来实现。举例而言，该比率可在约1与约1.01之间。