| 主权项 |
1.一种使用界面沈淀制备一具形状之中空铝矽锆 材料技术包括: 使用一第一溶剂溶解一材料形成一溶液; 使用一分散技术将该溶液分散成一具形状之液体; 将该具形状之液体通过一第二溶剂,当该具形状之 液体的界面碰触到该第二溶剂时,该具形状之液体 内部的该材料立刻产生沈淀析出固体在该具形状 之液体的界面,形成一具形状之固体界面,而该具 形状之液体的内部的该第一溶剂将逐渐扩散通过 该具形状之固体界面,进入该第二溶剂中,形成一 具形状之中空材料;以及 移除该第一溶剂与该第二溶剂,即形成该具形状之 中空材。 2.如申请专利范围第1项所述使用界面沈淀制备一 具形状之中空铝矽锆材料技术,其中该具形状之液 体包括一球形液滴与一管线柱状液体。 3.如申请专利范围第1项所述使用界面沈淀制备一 具形状之中空铝矽锆材料技术,其中该具形状之中 空铝矽锆材料至少包括:一球状中空材料,一具有 孔之球状中空材料,与一管状中空材料。 4.如申请专利范围第1项所述使用界面沈淀制备一 具形状之中空铝矽锆材料技术,其中该球状中空材 料之尺寸大小微米到次微米(500um-0.5um)。 5.如申请专利范围第1项所述使用界面沈淀制备一 具形状之中空铝矽锆材料技术,其中该第一溶剂至 少包括:水,醇类如:甲醇,乙醇,乙二醇,甘油类等。 6.如申请专利范围第1项所述使用界面沈淀制备一 具形状之中空铝矽锆材料技术,其中该第一溶剂为 水。 7.如申请专利范围第1项所述使用界面沈淀制备一 具形状之中空铝矽锆材料技术,其中该材料溶解在 该第一溶剂的种量浓度比例至少必须大于0.1(材料 重:第一溶剂重)。 8.如申请专利范围第1项所述使用界面沈淀制备一 具形状之中空铝矽锆材料技术,其中该材料包括: 氯铝化合物(ACH),硫酸铝,sodium silicate solution,ZrCl2O.8 H2O,SnCl4.5H2O,AlCl3.6H2O等。 9.如申请专利范围第1项所述使用界面沈淀制备一 具形状之中空铝矽锆材料技术,其中该分散技术包 括:喷雾法,超音波蒸汽,电蒸汽化法以及射出成形 法。 10.如申请专利范围第1项所述使用界面沈淀制备一 具形状之中空铝矽锆材料技术,其中该第二溶剂至 少包括:乙醇,丙酮,等。该移除第一溶剂与第二溶 剂的方法包括:过滤,真空乾燥,自然蒸发,烘乾,锻 烧等方法。 11.如申请专利范围第1项所述使用界面沈淀制备一 具形状之中空铝矽锆材料技术,其中该第一溶剂与 第二溶剂可以完全互溶与部分互溶。 12.如申请专利范围第1项所述使用界面沈淀制备一 具形状之中空铝矽锆材料技术,其中该第一溶剂的 密度大于该第二溶剂的密度。 图式简单说明: 图一:SEM图呈现传统使用沈淀方法制作Aluminum chlorohydrate(ACH)材料的形状构造,大多呈现不规则状 ; 图二:本案技术其中之一使用喷雾法制备中空材料 的构造装置图; 图三:SEM图呈现本案技术制作ACH大颗粒(a)一群中空 材料具有一开孔,形状规则像一坯瓮形状(b)形状呈 现椭圆形(c)中空球状剖面图(d)粗糙的球状表面; 图四:SEM图(a)所示喷洒水玻璃溶液Sodium Silicate具有 凹洞的球形颗粒,(b)所示加入甘油后喷洒水玻璃仅 获得球形颗粒,不具凹洞。 图五:SEM图(a)所示为AlCl3.6H2O沈淀的颗粒大小约1.8um ,经乾燥呈现一中空凹形状。图四(b)经摄氏800度锻 烧4小时后的Al2O3氧化铝空球具有一孔洞; 图六:图五(a)沈淀物取出后经乾燥,锻烧呈现的ZrO2 球体,平均球形直径大小约5-20um,图五(b)放大观察 呈现中空球体构造; 图七:本案产生具有孔的中空球产生示意图当喷射 的雾滴动能大时的机构(a)溶有材料的第一溶剂分 散在空气中液滴成球状(b)进入第二溶剂时产生流 线型挤压成椭圆形(c)内部液体受挤压而排出球体( d)移除溶剂成一中空坏瓮形体。 图八:本案中空球体的产生示意图当喷射雾滴动能 小的机构(a)溶有材料的第一溶剂分散在空气中液 滴成球状(b)进入第二溶剂时产生流线型成圆形(c) 内部液体逐渐扩散出球体界进入第二溶剂(d)移除 溶剂形成一中空圆球体。 |
