Method of producing a semiconductor building element with active areas that are separated by isolation structures.

摘要

Vorgestellt wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, das aktive Bereiche und die aktiven Bereiche trennende Isolationsstrukturen in Form von flachen und tiefen Gräben aufweist. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass die flachen Gräben vor den tiefen Gräben erzeugt werden, dass die tiefen Gräben so angeordnet werden, dass sie innerhalb der flachen Gräben verlaufen und dass ein vollständiges Eintreiben von Dotierungsatomen zur Erzeugung von Wannen in dem Halbleiterbauelement frühestens nach dem Erzeugen der tiefen Gräben stattfindet.