| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包含: 一半导体基底; 一介电层,其设置于该半导体基底上;以及 一光罩图案化磁性层,其设置于该介电层上,并整 合于该半导体基板上以形成一电感器,该磁性层包 含一含有钴之非晶系合金。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该非晶 系合金包含钴及锆。 3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中该非晶 系合金包含约3个原子百分比至约10个原子百分比 之锆。 4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该非晶 系合金包含钴、锆、以及钽。 5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中该非晶 系合金包含约3个原子百分比至约10个原子百分比 之锆以及高达并含有约10个原子百分比之钽。 6.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中该非晶 系合金包含约4个原子百分比之锆及约4.5个原子百 分比之钽。 7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该非晶 系合晶包含钴、锆、以及铌。 8.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该非晶 系合金包含钴、锆、以及一种稀有之土族元素。 9.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中该非晶 系合金包含钴;锆;以及铼、钕、镨、或镝。 10.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中该非 晶系合金包含约3个原子百分比至约10个原子百分 比之锆以及高达并含有约3个原子百分比之铼。 11.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中更包 括一位于该磁性层下方之下方黏着层。 12.如申请专利范围第11项之半导体装置,其中该下 方黏着层含有钛。 13.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该磁 性层包含一上方黏着层。 14.如申请专利范围第13项之半导体装置,其中该上 方黏着层含有钛或钴之氧化物。 15.一种方法,其包含: 于一半导体基底上形成一介电层;以及 于该介电层上形成一磁性层,其包含一含有钴之非 晶系合金; 使用一光罩图案化该磁性层;及 该磁性层整合于该半导体基底上,以形成一电感器 。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中该沈积磁性 层之步骤包含沈积一含有一非晶系合金之磁性层, 该非晶系合金包含钴及锆。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中该沈积磁性 层之步骤包含沈积一含有一非晶系合金之磁性层, 该非晶系合金包含约3个原子百分比至约10个原子 百分比之锆。 18.如申请专利范围第15项之方法,其中该沈积磁性 层之步骤包含沈积一含有一非晶系合金之磁性层, 该非晶系合金包含钴、锆、及钽。 19.如申请专利范围第18项之方法,其中该沈积磁性 层之步骤包含沈积一含有一非晶系合金之磁性层, 该非晶系合金包含约3个原子百分比至约10个原子 百分比之锆以及高达并含有约10个原子百分比之 钽。 20.如申请专利范围第19项之方法,其中该沈积磁性 层之步骤包含沈积一含有一非晶系合金之磁性层, 该非晶系合金包含约4个原子百分比之锆及约4.5个 原子百分比之钽。 21.如申请专利范围第15项之方法,其中该沈积磁性 层之步骤包含沈积一含有一非晶系合金之磁性层, 该非晶系合金包含钴、锆、及铌。 22.如申请专利范围第15项之方法,其中该沈积磁性 层之步骤包含沈积一含有一非晶系合金之磁性层, 该非晶系合金包含钴、锆、及一种稀有之土族元 素。 23.如申请专利范围第22项之方法,其中该沈积磁性 层之步骤包含形成一含有一非晶系合金之磁性层, 该非晶系合金包含钴;锆;以及铼、钕、镨、或镝 所组成之群中之一。 24.如申请专利范围第22项之方法,其中该沈积磁性 层之步骤包含沈积一含有一非晶系合金之磁性层, 该非晶系合金包含约3个原子百分比至约10个原子 百分比之锆以及高达并含有约3个原子百分比之铼 。 25.如申请专利范围第15项之方法,更包括形成一位 于该磁性层下方之下方黏着层。 26.如申请专利范围第25项之方法,其中该下方黏着 层包含钛。 27.如申请专利范围第15项之方法,更包含于一固定 性或切换性磁场中沈积该磁性层。 28.如申请专利范围第15项之方法,更包括形成一位 于该磁性层上方之上方黏着层。 29.如申请专利范围第28项之方法,其中该上方黏着 层包含钛或钴之氧化物。 30.如申请专利范围第28项之方法,其中该上方黏着 层包含氧化该磁性层。 31.如申请专利范围第15项之方法,其中该图案化之 步骤包含使用一种氢氟酸溶液对该磁性层蚀刻一 下方黏着层。 32.如申请专利范围第15项之方法,其中该图案化之 步骤包含使用一种硝酸溶液湿蚀刻该磁性层。 33.如申请专利范围第15项之方法,更包括于一磁场 中退火该磁性层。 34.一种方法,其包含: 于一半导体基底上形成一介电层; 沈积一第一黏着层于该介电层上: 沈积一磁性材料层于该第一黏着层上,该磁性材料 层包括一含有钴之非晶系合金; 沈积一第二黏着层于该磁性材料层上; 使用一光罩图案化该磁性材料层及该等黏着层;及 形成一整合于该半导体基底上之电感器。 35.如申请专利范围第34项之方法,其中该沈积磁性 材料层之步骤包含沈积含有一内含钴和锆之非晶 系合金的磁性材料。 36.如申请专利范围第34项之方法,其中该沈积磁性 材料层之步骤包含于一固定性或切换性磁性场中 沈积磁性材料。 37.如申请专利范围第34项之方法,其中该图案化之 步骤包含使用一硝酸溶液湿蚀刻该磁性材料层。 38.如申请专利范围第34项之方法,其中该图案化之 步骤包含使用一氢氟酸溶液蚀刻该等黏着层。 图式简单说明: 图1为一具体实施例,其描述一集成电感之平面图; 图2为一具体实施例,其描述一用于形成图1集成电 感之流程图; 图3为一具体实施例,其描述一基底的剖面图,其中 一第一介电层和一磁性层系形成于该基底上; 图4为一具体实施例,其描述已制作第一磁性层之 图样并形成第二介电层之后之图3基底的剖面图; 图5为一具体实施例,其描述已制作第二介电层并 形成一导电层之后图4基底的剖面图; 图6为一具体实施例,其描述已制作导电层并形成 一第三介电层之后图5基底的剖面图; 图7为一具体实施例,其描述已制作第三介电层并 形成和制作第二磁性层图样之后图6基底的剖面图 ; 图8为一具体实施例,其描述一用于形成磁性层的 流程图; 图9为一具体实施例,其描述一基底之剖面图,其中 一介电层和一磁性层已形成于该基底上; 图10为一具体实施例,其描述已形成图案化之光罩 层并已制作磁性层之图样之后图9基底的剖面图; 图11为一具体实施例,其描述另一集成电感之立体 图; 图12为一具体实施例,其描述一用于形成图11集成 电感之流程图; 图13为一具体实施例,其描述一含有一或更多个电 感之积体电路的方块图;以及 图14为一具体实施例,其描述一含有一或更多个电 感之积体电路封装的方块图。 |
