发明名称 介电质陶瓷及陶瓷电子零件
摘要 本发明提供一种介电质陶瓷,该介电质陶瓷在不含有Pb成分的情况下能够将介电常数ε和Q值维持在高水准,并且温度特性的直线性优良,介电常数ε的温度变化率小的介电质陶瓷。该介电质陶瓷是由通式(1):a[(SrbCa1-b)TiO3]-(1- a)[Bi2O3nTiO2](其中,a、b表示莫耳比,n表示TiO2相对于 Bi2O3的莫耳比,0.88≦a≦0.92,0.30≦b≦0.50,1.8≦n≦3.0)表示的主要成分和通式(2):xMgTiO3+yMnOm+ zLn2O3(x、y、z表示相对于上述主要成分100重量份的重量比,m表示1~2,Ln表示选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu Gd、Dy、Ho以及Er中,1.0≦x≦3.0,0.1≦y≦2.O和0≦z≦3.0)表示的次要成分所构成。
申请公布号 TWI245027 申请公布日期 2005.12.11
申请号 TW092133685 申请日期 2003.12.01
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 伴野 晃一
分类号 C04B35/47;H01B3/12 主分类号 C04B35/47
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种介电质陶瓷,其中含有通式(1):a[(SrbCa1-b)TiO3]- (1-a)[Bi2O3nTiO2](其中,a、b表示莫耳比,n表示TiO2相对 于Bi2O3的莫耳比)表示的主要成分和通式(2):xMgTiO3- yMnOm-zLn2O3(其中,x、y、z表示相对于上述主要成分 100重量份的重量比,m表示1~2,Ln表示选自La、Ce、Pr 、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho和Er中的一种以上的元素) 表示的次要成分,上述通式(1)中的莫耳比a、b、n和 上述通式(2)中的重量比x、y、z分别为 0.88≦a≦0.92, 0.30≦b≦0.50, 1.8≦n≦3.0, 1.0≦x≦3.0, 0.1≦y≦2.0,及 0<z≦3.0。 2.如申请专利范围第1项之介电质陶瓷,其中,在上 述次要组分中进一步含有TiO2,并且上述TiO2的含量 以Ti元素相对于上述次要组分中Ln元素的莫耳比p 计为0<p≦1.5。 3.如申请专利范围第1或2项之介电质陶瓷,其中在 上述次要组分中进一步含有SiO2,并且上述SiO2的含 量以相对于上述主要成分100重量份的重量比w计为 0<w≦1。 4.一种电容器,系在如申请专利范围第l项之介电质 陶瓷表面上形成电极部分所得者。 图式简单说明: 图1是表示使用本发明介电质陶瓷制造的陶瓷电子 零件的单板电容器的一个实施方案的局部切断正 面图。
地址 日本