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发明名称 Method for forming low-defect GaN film
摘要
申请公布号 KR100525725(B1) 申请公布日期 2005.11.03
申请号 KR20020081660 申请日期 2002.12.20
申请人 发明人
分类号 H01L21/20;(IPC1-7):H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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