原子层沉积方法和原子层沉积设备

摘要

本发明提供了一种原子层沉积方法，包括将多个半导体晶片放置进原子层沉积室内。沉积前体被与容纳在沉积室中的各个晶片相关联的各个气体入口喷射出，以在容纳在沉积室中的晶片上形成相应的单层。在形成单层后，吹扫气体被从与容纳在沉积室中的各个晶片相关联的各个气体入口喷射出。原子层沉积设备包括低于大气压的装载室、低于大气压的传递室和多个原子层沉积室。还披露了其他的方面和实施方式。

主权项

1.一种原子层沉积方法，包括：提供一种群集处理设备，所述群集处理设备具有低于大气压的传递室、与传递室连接的低于大气压的装载室、和与传递室连接的低于大气压的多个原子层沉积室；将多个半导体晶片放置到晶片承载器上，并将晶片承载器设置在装载室内；将其上具有晶片的晶片承载器从装载室移动到传递室内；将其上具有晶片的晶片承载器从传递室移动到其中一个原子层沉积室内；以及将材料原子层沉积到由所述一个原子层沉积室内的晶片承载器容纳的各个晶片上。