| 主权项 |
1.一种萤光体薄膜,其构成系包含: 母体材料,其系包括:含有Mg及Ga之氧化物; 发光中心,其系包含稀土族元素、Pb、Bi及Cr之中至 少一种的元素。 2.根据申请专利范围第1项之萤光体薄膜,其中前述 母体材料为镓酸镁。 3.根据申请专利范围第1项之萤光体薄膜,其中前述 发光中心为稀土族元素。 4.根据申请专利范围第1项之萤光层薄膜,其中前述 母体材料为含有元素A及元素B之氧化物, 前述元素A:系Mg、Ca、Sr、Ba及Zn之中至少一种的元 素且必含Mg; 前述元素B:系Ga、Al、B及In之中至少一种的元素且 必含Ga; 且,满足以下述式(1) 0.05≦MB/MA≦20 …(1) MA:系前述母体材料中之前述元素A之原子数, MB:系前述母体材料中之前述元素B之原子数,所示 之关系。 5.根据申请专利范围第1项之萤光层薄膜,其中满足 以下述式(2) 0.8≦MB/MA≦1.9 …(2) MA:系前述母体材料中之前述元素A之原子数, MB:系前述母体材料中之前述元素B之原子数,所示 之关系。 6.一种萤光体薄膜的制造方法,其系藉由利用含有 发光中心(其系含有:包含Mg之氧化物、以及稀土族 元素、Pb、Bi及Cr之中至少一种元素者)之蒸发源、 与含有氧化物(其系含有Ga)之蒸发源的二元蒸镀法 ,形成一包括:含有氧化物(其系含有Mg及Ga)之母体 材料、与该发光中心而构成的萤光体薄膜。 7.一种EL面板,系包含母体材料与发光中心而构成 之萤光体薄膜,而前述该母体材料系含有一包括Mg 及Ga之氧化物;前述发光中心系包含稀土族元素、 Pb、Bi及Cr之中至少一种元素。 图式简单说明: 图1系表示本发明之EL面板的第4实施形态之重要部 份的断面图。 图2系表示本发明之EL面板的第3实施形态之重要部 份的断面图。 图3系表示本发明之EL面板的第2实施形态之重要部 份的断面图。 图4系表示本发明之EL面板的第1实施形态之重要部 份的断面图。 图5系模型式表示以往之EL显示器的一例之立体图 。 图6系表示实施例1所得到之EL元件的发光光谱图。 图7系表示实施例1及比较例1所得到之EL元件的L-V 特性图。 图8系表示实施例3所得到之EL元件的萤光体薄膜中 之Ga/Mg与辉度之关系图。 图9系表示实施例3所得到之EL元件的萤光体薄膜中 之Eu添加量与辉度之关系图。 |
