高电流馈通装置

摘要

本发明公开一种高电流多层芯片型馈通装置，该装置可以以一种方式由导体材料和半导体材料的多层交错层组成，以形成具有瞬态抑制特性的馈通装置。本发明提供相对公知技术具有相似波形因数的装置具有显著改进的电流处理能力的馈通装置。改进的电流处理能力通过分量几何的转换实现，其导致在馈通电容内阻中的显著降低。半导体材料层中叠加的导体层的特征在于主信号传送导体或瞬态接地电导体。主信号传送导体沿着馈通装置的通常更短宽边延伸，并且其特征在于宽电流通道。瞬态接地导体以及本垂直方式延伸到沿馈通装置长边的主信号传送导体。多个焊接元件可以电镀到馈通装置用于电连接选择的导体层。

主权项

1、一种多层馈通装置，包括：一个半导体材料的壳体，具有被第一尺寸互相隔开的第一对相对边和被第二尺寸互相隔开的第二对相对边；多个基本平面的第一导体层，其设置在所述半导体材料壳体中，并配置为在其中传播电信号，其中，所述导体层的每一层沿着所述第一对相对边间的所述第一尺寸延伸，每一第一导体层的特征还在于第三尺寸；以及多个基本平面的第二导体层，其设置在所述半导体材料的壳体中，并配置为用于将其连接到电接地，其中所述第二导体层的每一层沿着所述第二对相对边间的所述第二尺寸延伸；其中，所述第三尺寸比第一尺寸长，所述第二尺寸比第三尺寸长。