| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置的制造方法，其包括：在硅基板上形成含有Si和氧的绝缘膜的工序；利用使用了有机金属原料的化学气相堆积法、在上述绝缘膜上堆积金属氧化物膜的工序，其中：进行上述堆积金属氧化膜的工序，使得上述金属氧化膜在堆积后不久的状态下成为结晶质。 | ||
| 申请公布号 | CN1663031A | 申请公布日期 | 2005.08.31 |
| 申请号 | CN03814509.X | 申请日期 | 2003.06.03 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 神力博;久保万身 |
| 分类号 | H01L21/316;C23C16/40;H01L29/78 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳;邸万杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其包括：在硅基板上形成含有Si和氧的绝缘膜的工序；利用使用了有机金属原料的化学气相堆积法、在所述绝缘膜上堆积金属氧化物膜的工序；其特征在于：进行所述堆积金属氧化膜的工序，使得所述金属氧化膜在堆积后不久的状态下成为结晶质。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||