| 发明名称 | 半导体衬底、场效应晶体管、锗化硅层形成方法及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在半导体衬底、场效应晶体管、SiGe层的形成方法及使用了该方法的变形Si层的形成方法和场效应晶体管的制造方法中，降低了SiGe层的贯通错位密度，而且也减小了表面粗糙度。在Si衬底(1)上设置将从基底材料的Ge组成比起使Ge组成比逐渐增加的SiGe的倾斜组成层(2a、12a)和以该倾斜组成层的上表面的Ge组成比在倾斜组成层上配置的SiGe的固定组成层(2b、12b)成为交替地层叠多层的状态而构成的SiGe缓冲层(2、12a)。 | ||
| 申请公布号 | CN1216405C | 申请公布日期 | 2005.08.24 |
| 申请号 | CN01124739.8 | 申请日期 | 2001.08.01 |
| 申请人 | 三菱麻铁里亚尔株式会社;三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 | 发明人 | 水嶋一树;盐野一郎;山口健志 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/335 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈霁;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体衬底(WO)，其特征在于：在Si衬底(1)上具备从基底材料的Ge组成比起使Ge组成比逐渐增加的SiGe的倾斜组成层(2a，12a)和以该倾斜组成层的上表面的Ge组成比在倾斜组成层上配置的SiGe的固定组成层(2b，12b)成为交替地层叠多层的状态而构成的SiGe缓冲层(2，12)。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||