发明名称 腐蚀性气体侦测器及其系统
摘要 本发明之腐蚀性气体侦到器包含至少一半导体元件及一电性侦测计。该半导体元件包含一晶圆基座及一设置于该晶圆基座上之一金属桥。该电性侦测计可为一电阻计或一安培计,其系电连接于该金属桥两端,用以测量该金属桥之电性之变化。该金属桥两端可设置两焊垫,以方便拉线连接该电性侦测计。该金属桥大多采用铝金属、铝-铜合金或铝-矽-铜合金,其宽度约介于0.5至2微米之间,高度则介于0.3至1微米之间。
申请公布号 TWI238248 申请公布日期 2005.08.21
申请号 TW092117257 申请日期 2003.06.25
申请人 天虹科技股份有限公司 发明人 丁圣义
分类号 G01N27/00 主分类号 G01N27/00
代理机构 代理人 王仲 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种腐蚀性气体侦测器,包含:至少一半导体元件,包含:一晶圆基座;及一金属桥,设置于该晶圆基座上;以及一电性侦测计,电连接于该金属桥两端,用以测量该金属桥之电性变化。2.如申请专利范围第1项之腐蚀性气体侦测器,其另包含两分别连接于该金属桥两端之焊垫,用以拉线连接该电性侦测计。3.如申请专利范围第1项之腐蚀性气体侦测器,其中该金属桥系由铝金属、铝-铜合金及铝-矽-铜合金中之一者组成。4.如申请专利范围第1项之腐蚀性气体侦测器,其中该电性侦测计系一电阻计。5.如申请专利范围第1项之腐蚀性气体侦测器,其另包含一介于该晶圆基座及金属桥间之阻障层,用以增加该金属桥于品圆基座上之附着力。6.如申请专利范围第5项之腐蚀性气体侦测器,其中该阻障层系由氮化钛及氮化矽中之一者组成。7.如申请专利范围第1项之腐蚀性气体侦测器,其另包含两金属销,用以电连接该金属桥两端及电性侦测计。8.如申请专利范围第1项之腐蚀性气体侦测器,其另包含一外罩,用以包覆该半导体元件,其中该外罩包含一封盖。9.如申请专利范围第1项之腐蚀性气体侦测器,其中该金属桥的宽度系介于0.5至2微米之间。10.如申请专利范围第1项之腐蚀性气体侦测器,其中该金属桥的高度系介于0.3至1微米之间。11.如申请专利范围第1项之腐蚀性气体侦测器,其另包含一固定带,且该半导体元件以串联方式设置于该固定带上。12.一腐蚀性气体侦测系统,包含:复数个腐蚀性气体侦测模组,各腐蚀性气体侦测模组包含:复数个如申请专利范围第1项之腐蚀性气体侦测器;及一控制器,用于收集该复数个腐蚀性气体侦测器之电性资料;以及一中央监控器,用于监控该复数个腐蚀性气体侦测模组。13.如申请专利范围第12项之腐蚀性气体侦测系统,其中该控制器系一可程式逻辑控制器。图式简单说明:图1系本发明之腐蚀性气体侦测器之应用原理示意图;图2显示本发明之第一较佳实施例之腐蚀性气体侦测器之示意图;图3显示本发明之第二较佳实施例之腐蚀性气体侦测器之示意图;图4显示本发明之第三较佳实施例之腐蚀性气体侦测器之示意图;及图5系本发明之腐蚀性气体侦测系统之示意图。
地址 新竹县竹北市民权街53号7楼
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