| 主权项 |
1.一种有机电激发光显示装置,其系于支持基板上含有下部电极、有机发光介质与对向电极,其特征在于使该有机发光介质之含水率为0.05重量%以下的値。2.一种有机电激发光显示装置,其系于支持基板上含有下部电极、层间绝缘膜、有机发光介质与对向电极,其特征在于使该层间绝缘膜及有机发光介质之含水率为0.05重量%以下的値。3.一种有机电激发光显示装置,其系于支持基板上含有滤色器及萤光介质或任一种构件、下部电极、层间绝缘膜、有机发光介质与对向电极,其特征在于该滤色器及萤光介质或任一种构件、层间绝缘膜及有机发光介质之含水率为0.05重量%以下的値。4.一种有机电激发光显示装置,其系于支持基板上含有滤色器及萤光介质或任一种构件、平坦化层、下部电极、层间绝缘膜、有机发光介质与对向电极,其特征在于使该滤色器及萤光介质或任一种构件、平坦化层、层间绝缘膜及有机发光介质之含水率为0.05重量%以下的値。5.如申请专利范围第1~4项中任一项之有机电激发光显示装置,其中含水率为0.0001~0.05重量%。6.如申请专利范围第1~4项中任一项之有机电激发光显示装置,其系藉由脱水步骤使含水率为0.05重量%以下。7.如申请专利范围第1~4项中任一项之有机电激发光显示装置,其系藉由使露点为-10℃以下,及/或真空度为13.3Pa以下,进行脱水处理,使含水率为0.05重量%以下。8.如申请专利范围第1~4项中任一项之有机电激发光显示装置,其系藉由使加热温度为100~250℃,进行脱水处理,使含水率为0.05重量%以下。9.如申请专利范围第1~4项中任一项之有机电激发光显示装置,其系藉由使加热时间1~6小时,加热温度为60~300℃,进行脱水处理,使含水率为0.05重量%以下。10.一种有机电激发光显示装置之制造方法,其系制造于支持基板上设有下部电极、有机发光介质与对向电极之有机电激发光显示装置,其特征在于藉由在该有机发光介质形成前及形成后、或其中任一者时,于露点为一10℃以下、及/或真空度为13.3Pa以下,进行脱水处理,使有机电激发光显示装置组合后的有机发光介质之含水率为0.05重量%以下的値。11.如申请专利范围第10项之有机电激发光显示装置之制造方法,其系使该脱水步骤于加热至60~300℃下实施。12.如申请专利范围第10项之有机电激发光显示装置之制造方法,其系于导入惰性气体的状态下,实施该脱水步骤。13.如申请专利范围第11项之有机电激发光显示装置之制造方法,其系于导入惰性气体的状态下,实施该脱水处理。14.一种有机电激发光显示装置之制造方法,其系制造于支持基板上设有下部电极、有机发光介质与对向电极之有机电激发光显示装置,其特征在于藉由在该有机发光介质形成前及形成后、或任一者之际,于加热温度为100~250℃下,进行脱水处理,使有机电激发光显示装置组合后的有机发光介质之含水率为0.05重量%以下的値。15.一种有机电激发光显示装置之制造方法,其系制造于支持基板上设有下部电极、有机发光介质与对向电极之有机电激发光显示装置,其特征在于藉由在该有机发光介质形成前及形成后、或其中任一者时,于加热时间为1~6小时、加热温度为60~300℃下,进行脱水处理,使有机电激发光显示装置组合后的有机发光介质之含水率为0.05重量%以下的値。16.如申请专利范围第10项至第15项中任一项之有机电激发光显示装置之制造方法,其中系使用含有脱水单元、成膜单元、与连接此等的单元之运送单元的制造装置,同时含有下述步骤:于脱水单元中,有机发光介质形成前及形成后,或任一者之际进行支持基板之脱水处理的步骤,使用该运送单元所含的运送装置,移动该支持基板至该成膜单元之步骤,于该成膜单元形成有机发光介质之步骤。17.一种有机电激发光显示装置之制造方法,其所制造之有机电激发光显示装置,为层合于支持基板上设置下部电极、有机发光介质及对向电极所得之有机电激发光元件层,及于封装用基板上设有滤色器及萤光介质、或任一种构件所得之封装构件而成者,其特征在露点为-10℃以下,及/或真空度为13.3Pa以下,藉由至少对该有机发光介质及封装构件进行脱水处理,以使有机电激发光显示装置在组合后的有机发光介质之含水率为0.05重量%以下的値。18.如申请专利范围第17项之有机电激发光显示装置之制造方法,系使该脱水步骤于加热至60~300℃下实施。19.如申请专利范围第17项之有机电激发光显示装置之制造方法,其系于导入惰性气体的状态下,实施该脱水步骤。20.如申请专利范围第18项之有机电激发光显示装置之制造方法,其系于导入惰性气体的状态下,实施该脱水步骤。21.一种有机电激发光显示装置之制造方法,其所制造之有机电激发光显示装置,为层合于支持基板上设置下部电极、有机发光介质及对向电极所得之有机电激发光元件层,及于封装用基板上设有滤色器及萤光介质、或任一种构件所得之封装构件而成者,其特征在于于加热温度为100~250℃下,藉由至少对该有机发光介质及封装构件进行脱水处理,以使有机电激发光显示装置在组合后的有机发光介质之含水率为0.05重量%以下的値。22.一种有机电激发光显示装置之制造方法,其所制造之有机电激发光显示装置,为层合于支持基板上设置下部电极、有机发光介质及对向电极所得之有机电激发光元件层,及于封装用基板上设有滤色器及萤光介质、或任一种构件所得之封装构件而成者,其特征在于加热时间为1~6小时、加热温度为60~300℃下,藉由至少对该有机发光介质及封装构件进行脱水处理,以使有机电激发光显示装置在组合后的有机发光介质之含水率为0.05重量%以下的値。23.一种有机电激发光显示装置之制造方法,其系制造于支持基板上设有下部电极、有机发光介质与对向电极之有机电激发光显示装置,其特征在于使该有机发光介质湿式成膜后,露点为-10℃以下,及/或真空度为13.3Pa以下,进行脱水处理,藉此使有机电激发光显示装置组合后的有机发光介质之含水率为0.05重量%以下的値。24.如申请专利范围第23项之有机电激发光显示装置之制造方法,系使该脱水步骤于加热至60~300℃下实施。25.如申请专利范围第23项之有机电激发光显示装置之制造方法,其系于导入惰性气体的状态下,实施该脱水处理。26.如申请专利范围第24项之有机电激发光显示装置之制造方法,其系于导入惰性气体的状态下,实施该脱水步骤。27.一种有机电激发光显示装置之制造方法,其系制造于支持基板上设有下部电极、有机发光介质与对向电极之有机电激发光显示装置,其特征在于使该有机发光介质湿式成膜后,于加热温度为100~250℃下,进行脱水处理,藉此使有机电激发光显示装置组合后的有机发光介质之含水率为0.05重量%以下的値。28.一种有机电激发光显示装置之制造方法,其系制造于支持基板上设有下部电极、有机发光介质与对向电极之有机电激发光显示装置,其特征在于藉由在使该有机发光介质湿式成膜后,于加热时间为1~6小时、加热温度为60~300℃下,进行脱水处理,藉此使有机电激发光显示装置组合后的有机发光介质之含水率为0.05重量%以下的値。29.如申请专利范围第23项至第28项中任一项之有机电激发光显示装置之制造方法,其中系使用含有脱水单元、成膜单元、与连接此等的单元之运送单元的制造装置,同时含有下述步骤:使该有机发光介质湿式成膜之步骤,于脱水单元中,有机发光介质形成后进行支持基板之脱水处理的步骤,使用该运送单元所含的运送装置,移动该支持基板至该成膜单元之步骤,于该成膜单元形成对向电极之步骤。图式简单说明:第1图系表示有机发光媒体之含水率及发光面积间之关系图。第2图系有机EL显示装置之截面图(其一)。第3图系有机EL显示装置之截面图(其二)。第4图系有机EL显示装置之截面图(其三)。第5图系表示于有机EL显示装置之电极的矩阵之平面图。第6图系第5图所示的有机EL显示装置之X-X′截面图。第7图系有机EL显示装置所设系TFT元件之截面图。第8图系有机EL显示装置之截面图(其四)。第9图系有机EL显示装置之截面图(其五)。第10图系有机EL显示装置之截面图(其六)。第11图系有机EL显示装置之概略图(其一)。第12图系有机EL显示装置之概略图(其二)。第13图系于有机EL显示装置之制造装置的脱水单位之概略图(其一)。第14图系于有机EL显示装置之制造装置的脱水单位之概略图(其二)。第15图系供说明习用的有机EL显示装置之无发光领域或无发光位置发生之图(其一)。第16图系供说明习用的有机EL显示装置之无发光领域或无发光位置发生之图(其二)。第17图系供说明习用的有机EL显示装置之无发光领域或无发光位置发生之图(其三)。第18图系供说明全自动水分吸脱附测定装置之图。第19图系利用第18图所示的全自动水分吸脱附测定装置测定的水分测定图。 |
