发明名称 用于短波长成像的负性光致抗蚀剂
摘要 提供特别适合在短波长特别是低于200nm波长如193nm成像的新型负性光致抗蚀剂组合物。本发明抗蚀剂通过交联或其它溶解度转换机理提供已曝光和未曝光涂层区域之间的对比度。优选的本发明抗蚀剂包括含有促进碱水可溶性的重复单元的树脂组分。
申请公布号 CN1639634A 申请公布日期 2005.07.13
申请号 CN03805088.9 申请日期 2003.03.04
申请人 希普雷公司 发明人 G·G·巴克雷;N·普格里亚诺
分类号 G03C5/00;G03F7/004 主分类号 G03C5/00
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 任宗华
主权项 1.一种负色调光致抗蚀剂浮雕像的形成方法,包括:a)在基质上涂布光致抗蚀剂组合物涂层,所述光致抗蚀剂包含感光组分和树脂,所述树脂包含提供1)碱水可溶性和2)用碱水组合物显影时已曝光和未曝光涂层区域之间对比度的单元;b)使所述光致抗蚀剂涂层受到波长小于200nm的辐射;和c)用碱水组合物使所述曝光的涂层显影在基质上形成负色调的光致抗蚀剂图像。
地址 美国马萨诸塞