低电压CMOS带隙基准发生器

摘要

一种带隙基准发生器，包括第一支路中串联连接的PMOS晶体管、NMOS晶体管以及pnp双极结型晶体管。该带隙基准发生器包括第二支路，该第二支路包含PMOS晶体管、NMOS晶体管、电阻器和pnp双极结型晶体管。偏置电路给PMOS晶体管的栅极形成的电流镜提供偏置，以降低带隙基准发生器的工作电压。第二偏置电路可以给NMOS晶体管形成的电流镜提供偏置。提供了基于时间和基于DC偏置的启动电路和方法。

主权项

1.一种带隙基准发生器，包括：具有两个电流通路的电流镜电路，第一电流通路流过第一MOS晶体管和第一双极结型晶体管；第二电流通路流过第二MOS晶体管、电阻器和第二双极结型晶体管，其中流过所述电阻器的电流表示第一和第二双极结型晶体管上的电压差；以及连接在所述第二MOS晶体管的漏极和栅极之间的高阻抗控制电路。