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发明名称 FABRICATING METHOD OF DUAL GATE OXIDE IN SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR20050067443(A) 申请公布日期 2005.07.04
申请号 KR20030098426 申请日期 2003.12.29
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 OH, JAE GEUN
分类号 H01L21/8228;H01L27/092;(IPC1-7):H01L27/092;H01L21/822 主分类号 H01L21/8228
代理机构 代理人
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