发明名称 | 奈米级高深宽比结构及其制作方法 | ||
摘要 | 一种奈米级超高深宽比结构,其为一基板、一电铸层、一触媒层与一奈米管层所组成,利用溅镀或化学气相沉积法将电铸起始层与触媒层依序形成于基板上,前述触媒层并定义有需要形成奈米管之图案,奈米管层仅形成于具有触媒层之区域上、并朝垂直于该基材之方向延伸一预定高度,其中,部分电铸层系暴露于不具有奈米管层之区域,以供作为进行后续电铸制程之反应电极。当电铸完成后,将奈米管层与基材除去,即可得到高硬度且超高深宽比之微结构者。 | ||
申请公布号 | TW200521076 | 申请公布日期 | 2005.07.01 |
申请号 | TW092136084 | 申请日期 | 2003.12.19 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 王郁仁;沈圣智;林坤龙;李聪瑞;蔡明杰;周敏杰 |
分类号 | B82B3/00;B82B1/00 | 主分类号 | B82B3/00 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |