发明名称 半导体雷射装置
摘要 藉由缩小垂直光束扩束角而减少高输出时的端面劣化情况,使对散热体的热移动变佳,俾提高高输出动作时的可靠性。包括:具一主面的散热座24、配设于此散热座24主面上的n–AlGaAs覆盖层30、配设于此n–AlGaAs覆盖层30上的AlGaAs主动层34、以及配设于此AlGaAs主动层34上的p–AlGaAs覆盖层38;其中,AlGaAs主动层34靠散热座24边的主面、与n–AlGaAs覆盖层30靠散热座24边的主面间之有效折射率与热电阻,分别较小于AlGaAs主动层34靠散热座24边之背后侧主面、与p–AlGaAs覆盖层38靠散热座24边之背后侧主面间的有效折射率与热电阻。
申请公布号 TW200520335 申请公布日期 2005.06.16
申请号 TW093126683 申请日期 2004.09.03
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 原君男
分类号 H01S5/00 主分类号 H01S5/00
代理机构 代理人 洪澄文
主权项
地址 日本