| 发明名称 | 磁随机存取存储器 | ||
| 摘要 | MRAM中，在写入动作时，在线路上流动具有高电流密度的电流。对位于写入字线(WWL0)和位线(BL0)的交点上的存储单元进行写入时，流动从WWL驱动器(13)朝向降压变换器(20)的电流。之后，在写入字线(WWL0)上流动与写入动作时的电流方向相反方向的电流，即，流动从降压变换器(20)朝向WWL驱动器(13)的电流。对于位线(BL0、BL1)也同样，例如，在写入动作后，流动与在写入动作时在位线(BL0、BL1)上流动的电流方向相反方向的电流。 | ||
| 申请公布号 | CN1206656C | 申请公布日期 | 2005.06.15 |
| 申请号 | CN01144021.X | 申请日期 | 2001.12.25 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 伊藤洋 |
| 分类号 | G11C11/15;H01L29/78 | 主分类号 | G11C11/15 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种磁随机存取存储器，包括：写入字线；与上述写入字线交叉的位线；配置在上述写入字线和上述位线交点上的磁阻器件，通过使磁化方向根据在上述写入字线上流动的电流的方向以及由上述位线上流动的电流所产生的磁场而变化来存储数据；和电流驱动器，在写入操作时按照存储在上述磁阻器件中的写入数据进行控制，使上述写入字线上流动的电流的方向为第1方向或与所述第一方向相反的第2方向。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||