形成N型金氧半电晶体之方法及其结构METHOD OF FORMING AN NMOS TRANSISTOR AND STRUCTURE THEREOF

摘要

在一实施例中，金属硼化物(MBx)、金属碳化物(MCx)、金属碳氮化物(MCxNy)、金属硼碳化物(MBxCy)、金属硼氮化物(MBxNy)或金属硼碳氮化物(MBxCyNz)，其中该金属为一过渡金属(周期表之III–XII族)，其皆适合作为NMOS闸极(88)之材料。此材料，例如，TaC及LaB6，其可形成以具有在大约4–4.3 eV内之功函数，此为NMOS电晶体所需者。此外，碳或氮量可以藉由调整先驱物内之碳或氮量，以取得一预定之金属功函数。