| 主权项 |
1.一种扫描式曝光方法,至少包含:提供一光源以及一基板,其中该基板具有一光阻层;将一光罩置于该光源及该基板间,该光罩具有一光罩图案;以及相对于该光罩,朝一第一方向以一第一速率移动该光源,并朝一第二方向以一第二速率移动该基板,使该光源之光线依据该光罩图案在该光阻层形成一光阻图案。2.如申请专利范围第1项所述之扫描式曝光方法,其中该第一方向系相反于该第二方向。3.如申请专利范围第2项所述之扫描式曝光方法,其中该光阻图案在该第二方向之尺寸系等于该第一速率与该第二速率之和除以该第一速率,并乘上该光罩图案在该第二方向之尺寸。4.如申请专利范围第1项所述之扫描式曝光方法,其中该光源包含一狭缝。5.如申请专利范围第4项所述之扫描式曝光方法,其中当该光罩图案为一正片光罩图案时,该狭缝在该第一方向之尺寸系小于该光阻图案在该第一方向之关键尺寸値(critical dimension)。6.如申请专利范围第4项所述之扫描式曝光方法,其中当该光罩图案为一负片光罩图案时,该狭缝在该第一方向之尺寸系大于该光阻图案在该第一方向之关键尺寸値。7.一种扫描式曝光装置,至少包含:一光罩载具,用以乘载一光罩;一光源,具有一狭缝,该光源置于该光罩载具之上方,并相对于该光罩载具,以一第一速率朝一第一方向移动;以及一基板载具,用以乘载具有一光阻层之一基板,该基板载具置于该光罩载具之下方,并相对于该光罩载具,以一第二速率将该基板朝一第二方向移动。8.如申请专利范围第7项所述之扫描式曝光装置,其中该第一方向系相反于该第二方向。9.一种扫描式曝光装置,至少包含:一光罩,具有一光罩图案;一光源,具有一狭缝,该光源置于该光罩之上方,并相对于该光罩,以一第一速率朝一第一方向移动;以及一载具,用以乘载具有一光阻层之一基板,该载具置于该光罩之下方,并相对于该光罩,以一第二速率将该基板朝一第二方向移动,使该光源之光线根据该光罩图案在该光阻层形成一光阻图案。10.如申请专利范围第9项所述之扫描式曝光装置,其中该第一方向系相反于该第二方向。11.如申请专利范围第10项所述之扫描式曝光装置,其中该光阻图案在该第二方向之尺寸系等于该第一速率与该第二速率之和除以该第一速率,并乘上该光罩图案在该第二方向之尺寸。12.如申请专利范围第9项所述之扫描式曝光装置,其中当该光罩图案为一正片光罩图案时,该狭缝在该第一方向之尺寸系小于该光阻图案在该第一方向之关键尺寸値。13.如申请专利范围第9项所述之扫描式曝光装置,其中当该光罩图案为一负片光罩图案时,该狭缝在该第一方向之尺寸系大于该光阻图案在该第一方向之关键尺寸値。14.一种扫描式曝光方法,至少包含:将一光源置于一光罩之上方,其中该光源具有一狭缝,且该光罩具有一光罩图案;将一基板置于该光罩之下方,其中该基板具有一光阻层;以及相对于该光罩,该光源与该基板分别以一第一速率与一第二速率反向地移动,使该光源之光线根据该光罩图案在该光阻层形成一光阻图案。15.如申请专利范围第14项所述之扫描式曝光方法,其中该光阻图案在该基板移动方向之尺寸系等于该第一速率与该第二速率之和除以该第一速率,并乘上该光罩图案在该基板移动方向之尺寸。16.如申请专利范围第14项所述之扫描式曝光方法,其中当该光罩图案系为一正片光罩图案时,该狭缝在该光源之移动方向之尺寸系小于该光阻图案在该光源之移动方向之关键尺寸値。17.如申请专利范围第16项所述之扫描式曝光方法,其中该光阻层之材质为正光阻。18.如申请专利范围第14项所述之扫描式曝光方法,其中当该光罩图案系为一负片光罩图案时,该狭缝在该光源之移动方向之尺寸系大于该光阻图案在该光源之移动方向之关键尺寸値。19.如申请专利范围第18项所述之扫描式曝光方法,其中该光阻层之材质为负光阻。20.一种扫描式曝光装置,至少包含:一光罩,具有一光罩图案一光源,具有一狭缝,该光源置于该光罩之上方,并相对于该光罩,以一第一速率朝一方向移动;以及一载具,用以乘载具有一光阻层之一基板,该载具置于该光罩之下方,并相对于该光罩,以一第二速率且相反于该方向地移动该基板,使该光源之光线根据该光罩图案在该光阻层形成一光阻图案;其中该光阻图案在该方向之尺寸系等于该第一速率与该第二速率之和除以该第一速率,并乘上该光罩图案在该方向之尺寸。21.如申请专利范围第20项所述之扫描式曝光装置,其中当该光罩图案系为一正片光罩图案时,该狭缝在该方向之尺寸系小于该光阻图案在该方向之关键尺寸値。22.如申请专利范围第21项所述之扫描式曝光装置,其中该光阻层之材质为正光阻。23.如申请专利范围第20项所述之扫描式曝光装置,其中当该光罩图案系为一负片光罩图案时,该狭缝在该方向之尺寸系大于该光阻图案在该方向之关键尺寸値。24.如申请专利范围第23项所述之扫描式曝光装置,其中该光阻层之材质为负光阻。图式简单说明:第1A图系绘示习知扫描式曝光装置之示意图;第1B图则绘示另一习知扫描式曝光装置之示意图;第2A图系绘示本发明之一较佳实施例之示意图;第2B图系绘示第2A图之光阻图案的上视图;第3A图系绘示本发明之光罩与基板之一较佳实施例之示意图;第3B图系绘示本发明之光罩与基板之另一较佳实施例之示意图;第3C图系绘示本发明之光罩图案与光阻图案之上视图;第4A图系绘示本发明之第一实施例之初始状态之示意图;第4B图则绘示本发明之第一实施例经过时间t后之示意图;第5A图系绘示一失败的扫描式曝光方法之初始状态之示意图;第5B图系绘示一失败的扫描式曝光方法经过时间t后之示意图;第6A图系绘示本发明之第二实施例之初始状态之示意图;以及第6B图则绘示本发明之第二实施例经过时间t后之示意图。 |
