半导体激光器

摘要

本发明提供一种半导体激光器，在半导体基板(1)上叠层包含n型包覆层(2)、活性层(3)及p型包覆层(4)、(6)的发光层形成部(8)，在发光层形成部上，叠层由晶格常数及热膨胀系数与半导体基板大致相同的材料构成的接触层(9)。在将该接触层的厚度设为d₁，将发光层形成部的厚度设为d₂时，以达到1.5≤(d₁/d₂)≤2.8的方式，形成发光层形成部及接触层。其结果，能够得到高输出用的、即使是发光层形成部的厚度达4μm以上的厚半导体激光器也能够提高CVD级别、延长寿命的半导体激光器。

主权项

1.一种半导体激光器，具有：半导体基板、包含叠层在该半导体基板上的第1导电型包覆层、活性层及第2导电型包覆层的发光层形成部、叠层在该发光层形成部上并且由晶格常数及热膨胀系数与上述半导体基板大致相同的材料构成的接触层；其中，在将该接触层的厚度设为d1，将上述发光层形成部的厚度设为d2时，以达到1.5≤(d1/d2)≤2.8的方式，形成上述发光层形成部及接触层。