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以往在使Ti与设在矽基板表面之硼的扩散领域接触以作为阻障金属层时，硼会为矽化钛所吸收，而有接触电阻增加之问题。虽有追加注入为矽化钛所吸收之份量之方法，但在例如p通道型追加注入源极领域的硼时，会有在扩散步骤中追加份的硼会扩散较深，而使特性劣化之问题。本发明系于元件领域形成后，以元件领域之1成左右的剂量于全面追加注入硼，再藉由阻障金属层之合金化处理使之在矽基板附近活性化。藉此，可维持预定元件领域之浓度分布，并仅使表面附近的杂质浓度提高。因而，即使硼为矽化钛所吸收，元件领域亦可维持预定之硼浓度，而可抑制接触电阻之增大。 |
