| 主权项 |
1.一种发光二极体结构,该新结构主要在于改善发光二极体黏着、散热及封装方式之发光二极体结构:该直接封装表面黏着型之发光二极体结构,其系由原已生成有正型传输层、发光层、负型传输层之发光二极体结构之基板,再将前述之基板经利用相关微影、蚀刻技术得到所需之蚀刻洞,使前述之基板形成凹槽及凸块,再将前述之基板利用相关沉积、填洞技术填入绝缘层,使绝缘层填满并覆盖于前述形成凹槽及凸块之基板上,再将覆盖有绝缘层之基板利用相关微影、蚀刻技术去除不要之绝缘层,使凸块上不需绝缘层之区域露出并使凹槽内绝缘层平齐于缺口,再将前述之基板利用相关微影、蚀刻技术得到所需之蚀刻洞,使前述之基板形成凹槽及凸块,再将前述之基板利用相关沉积、填洞技术填入导电层,使导电层填满并覆盖于前述形成凹槽及凸块之基板上,再将前述之基板利用相关微影、蚀刻技术,去除不必要之导电层,使凸块上及凸块之一侧绝缘层上不需导电层之区域露出,再将前述之基板反转,再将前述之基板利用相关微影、蚀刻技术去除不要之传输层,使传输层平齐于绝缘层及导电层,再将前述之基板利用相关沉积、填洞技术填入导电层,使导电层填满并覆盖于前述之基板上,再将前述之基板利用相关微影、蚀刻技术得到所需之蚀刻洞,使前述之基板形成所需之凹槽,再将前述之基板填入封装胶材,使封装胶材填满并覆盖于前述之基板上,再将前述之基板反转,再将前述之基板利用切割、清洗技术得到所需之切割道,再将前述之基板填入封装胶材或参杂有其他物质之封装胶材,使封装胶材填满并覆盖于前述之基板上,用以完成晶片之封装,再将前述之基板利用切割、清洗技术得到导电、散热基座于两侧之单一发光二极体元件,完成所需之直接封装表面黏着型之发光二极体结构。图式简单说明:图1系原已生成有正型传输层、发光层、负型传输层之发光二极体结构之基板之侧视剖面图。图2系图1之元件经由利用相关微影、蚀刻技术得到所需之蚀刻洞,如图2之侧视剖面图。图3系图2之元件再利用相关沉积、填洞技术填入绝缘层,如图3之侧视剖面图。图4系图3之元件再利用相关微影、蚀刻技术去除不要之绝缘层,如图4之侧视剖面图。图5系图4之元件再利用相关微影、蚀刻技术得到所需之蚀刻洞,如图5之侧视剖面图。图6系图5之元件再利用相关沉积、填洞技术填入导电层,如图6之侧视剖面图。图7系图6之元件再利用相关微影、蚀刻技术,去除不要之导电层,如图7之侧视剖面图。图8系图7之元件反转,如图8之侧视剖面图。图9系图8之元件再利用相关微影、蚀刻技术去除不要之传输层,如图9之侧视剖面图。图10系图9之元件再利用相关沉积、填洞技术填入导电层,如图10之侧视剖面图。图11系图10之元件再利用相关微影、蚀刻技术得到所需之蚀刻洞,如图11之侧视剖面图。图12系图11之元件上封装胶材,如图12之侧视剖面图。图13系图12之元件反转,如图13之侧视剖面图。图14系图13之元件再利用切割、清洗技术得到如图14之俯视图。图15系图14之元件上封装胶材得到如图15之侧视剖面图。图16系图15之元件再利用切割、清洗技术得到如图16之侧视剖面图。图17系图16之元件侧视图。 |
