| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 在含有半导体基片的半导体结构上形成以硅氧烷键为主骨架的低介质常数绝缘膜。此低介质常数绝缘膜中以界面活性剂浸透。使此为所述界面活性剂浸透的上述低介电常数绝缘膜在能暴露于水的状态下进行预定的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1197144C | 申请公布日期 | 2005.04.13 |
| 申请号 | CN01140937.1 | 申请日期 | 2001.09.27 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 宫岛秀史;山田展英;早坂伸夫;仓嶋延行 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/283 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括：在包含半导体基片的半导体结构上形成硅氧烷键为主骨架的低介电常数绝缘膜；在所述低介电常数绝缘膜形成后，在上述低介电常数绝缘膜中浸透界面活性剂；将上述界面活性剂浸透的前述低介电常数绝缘膜置于暴露于水中的状态下进行预定的工序，其中还包括在前述所定工序后除去浸透于上述低介电常数绝缘膜中的上述界面活性剂。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||