半导体存储装置

摘要

半导体存储装置，具备构成存储单元阵列的MIS晶体管。MIS晶体管具有浮置状态的硅层。此外，除去被配置在MIS晶体管的源极区域和漏极区域之间的用来形成沟道的第1栅极(13)之外，还具备用来借助于电容耦合控制硅层(12)的电位的已进行电位固定的第2栅极(20)。MIS晶体管，动态地存储在漏极结附近产生碰撞离子化把硅层(12)设定为第1电位的第1数据状态，和使得向漏极结流以正向偏置电流把硅层(12)设定为第2电位的第2数据状态。

主权项

1.一种具有用来构成存储单元MC的MIS晶体管的半导体存储装置，上述MIS晶体管具备：半导体层；在上述半导体层上形成的源极区域；在上述半导体层上与上述源极区域分离开形成的漏极区域，使上述源极区域和上述漏极区域之间的上述半导体层变成为浮置状态的体区域；用来在上述体区域上形成沟道的第1栅极，以及与上述第1栅极分开来形成的电位固定的第2栅极，借助于电容耦合来控制上述体区域的电位；其中，上述MIS晶体管具有：使过剩的多数载流子保持于上述体区域中、将上述体区域设定为第1电位的第1数据状态，和使过剩的多数载流子从上述体区域中释放出来、将上述体区域设定为第2电位的第2数据状态。