METHOD FOR THE PRODUCTION OF ETCHED HOLES AND/OR ETCHED TRENCHES, AND MEMBRANE SENSOR UNIT

摘要

Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Ätzlöchern und/oder Ätzgräben (11) von auf Silizium bzw. einem Schichtaufbau Silizium/Isolator basierenden Bauteilen vorgeschlagen. Erfindungsgemäß wird eine germaniumhaltige Schicht und/oder eine Germaniumschicht (9) an der Stelle in Ätzrichtung vorgesehen, an welcher oder in deren Umgebung ein Ätzvorgang beendet werden soll. Während des Ätzvorgangs wird auf Germanium- und/oder Germaniumverbindungen eine Detektion durchgeführt und in Abhängigkeit von der Detektion von Germanium und/oder Germaniumverbindungen der Ätzvorgang gesteuert, insbesondere abgebrochen. Außerdem wird eine Membransensoreinheit vorgeschlagen, in deren Schichtaufbau eine Germanium- und/oder germaniumhaltige Schicht vorgesehen ist.