| 主权项 |
1.一种半导体装置,具备:在半导体晶片表面隔着第1绝缘膜所形成之第1配线以及第2配线;黏接于形成有前述第1及第2配线之前述半导体晶片表面,具有露出前述第2配线之开口部之支持体;以及从前述半导体晶片之背面,隔着第2绝缘膜向前述半导体晶片之侧面延伸,并连接于前述第1配线之第3配线。2.一种半导体装置,系具备:第1半导体装置、以及配置于该第1半导体装置上之第2半导体装置;其中,前述第1半导体装置具备:形成于第1半导体晶片表面之第1配线以及第2配线;黏接于形成有前述第1及第2配线之前述半导体晶片表面且具有露出前述第2配线之开口部之支持体;以及从前述半导体晶片之背面向前述半导体晶片之侧面延伸,而连接于前述第1配线之第3配线;前述第2半导体装置具备:第2半导体晶片;以及形成于该第2半导体晶片背面之导电端子;而前述第2半导体装置之前述导电端子系透过前述第1半导体装置之开口部,连接于前述第2配线上。3.如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置,系具备形成于前述第3配线上之导电端子。4.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中,前述导电端子为突出电极端子。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中,前述突出电极端子系焊锡凸块或金凸块。6.一种半导体装置之制造方法,系准备具有隔着第1绝缘膜形成有第1配线及第2配线之复数个半导体晶片之半导体晶圆;并具备:在形成有前述第1及第2配线之前述半导体晶片表面上,黏接支持体之制程;形成从前述半导体晶片之背面隔着第2绝缘膜向前述半导体晶片之侧面延伸,并连接于前述第1配线之第3配线之制程;以及在前述支持体上,形成露出前述第2配线之开口部之制程。7.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,系具备研削前述支持体表面之制程。8.如申请专利范围第7项之半导体装置之制造方法,其中:研削前述支持体表面之制程,系在前述支持体表面滴下蚀刻液,并使前述支持体旋转之制程。9.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,系具备:将前述半导体晶圆切断分离成复数个半导体晶片之制程。10.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,系具备:在前述第3配线上形成导电端子之制程。11.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,系具备:在前述支持体上形成露出第2配线之开口部之制程后,在前述第2配线上,形成镀覆层之制程。12.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,系具备:透过前述开口部将其他半导体装置之导电端子连接在前述第2配线上之制程。图式简单说明:第1图系有关本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之剖面图。第2图系有关本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之剖面图。第3图系有关本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之剖面图。第4图系有关本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之剖面图。第5图系有关本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之剖面图。第6图系有关本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之剖面图。第7图系有关本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之剖面图。第8图系有关本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之剖面图。第9图系有关本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之剖面图。第10图系有关本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之剖面图。第11图系有关本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之剖面图。第12图系有关本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之剖面图。第13图系有关本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之剖面图。第14图系有关以往之MCM半导体装置之剖面之模式图。 |
