发明名称 参数调整装置
摘要 【课题】将遗传演算法适用于电晶体物理模型的参数调整以进行有效率且高精确度参数调整。【解决手段】参数调整装置系具备藉由特殊的交叉处理以生成新的参数基因之手段。又,为了适用于属于实数之参数而具备常态化手段。更具备一评估手段,其是以高精确度地符合于电晶体(MOSFET)之特有特性的方式进行参数评估。藉由此种构成,就可将遗传演算法适用在电晶体物理模型的参数调整,能在短时间内决定最佳参数群,能够使用该参数而进行高精确度的电路模拟。
申请公布号 TW200511043 申请公布日期 2005.03.16
申请号 TW093121177 申请日期 2004.07.15
申请人 进化系统总合研究所股份有限公司;半导体先端科技股份有限公司 发明人 村川正宏;伊藤桂一;和田哲典
分类号 G06F17/00 主分类号 G06F17/00
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本