| 发明名称 | 晶片形状评价方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种新的晶片形状评价方法及晶片形状评价装置，它在晶片内以规定的间隔测量晶片的形状的值，由该测量的晶片形状的值、根据预定的算法在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第1区域(W1)，算出在该第1区域(W1)的基准线(10a)或者基准面(10b)，在该第1区域外设定准备评价的第2区域(W2)，将该基准线(10a)或者基准面(10b)外插到该第2区域(W2)，分析该第2区域的形状和在该第2区域内的该基准线或者基准面的差、算出表面特性，由此，得到比现有的SFQR等更能正确的评价晶片外周部的晶片形状。 | ||
| 申请公布号 | CN1193409C | 申请公布日期 | 2005.03.16 |
| 申请号 | CN01803299.0 | 申请日期 | 2001.11.15 |
| 申请人 | 信越半导体株式会社;三菱电机株式会社 | 发明人 | 小林诚;松川和人;山本秀和;前岛伸六 |
| 分类号 | H01L21/304;H01L21/66 | 主分类号 | H01L21/304 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种晶片形状评价方法，其特征在于：在晶片面内以所定间隔测定晶片形状的值，由该测定的晶片形状的值在晶片面内设定算出基准线或者基准面所需的第一区域，根据预定的算法算出该第一区域的基准线或基准面，并在该第一区域外设定准备评价的第二区域，同时将该基准线或基准面外插到该第二区域，分析该第二区域的形状与在该第二区域内的该基准线或基准面的差异，算出表面特性。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||