| 发明名称 | 金属－绝缘体－金属(MIM)电容器结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种金属－绝缘体－金属(MIM)电容器以及在集成电路(10)中制作这种结构的方法，采用沿着MIM电容器结构(12)中限定部位的一对腿(14)之间所确定的沟道(18)延伸的侧壁隔板(42)来改进MIM电容器结构(12)中的电容密度。每个腿(14)包括顶部和底部电极(38，30)和介于二者之间的一个绝缘层(36)，以及面对沟道(18)的侧壁(40)。侧壁隔板(42)包括一个导电层(44)和介于导电层(44)与一个腿(14)的侧壁(40)之间的绝缘层(36)，并且侧壁隔板(42)的导电层(44)与MIM电容器结构(12)的顶部电极(38)物理上分离开。还可以在上沉积用来减少电极氧化的绝缘层(36)之前对MIM电容器结构(12)的底部电极(30)进行氨水等离子处理。进而用一种多级速率蚀刻工艺来蚀刻MIM电容器结构(12)的顶部电极(38)和绝缘层(36)，用第一快速率实施各向异性的蚀刻直至分别限定了MIM电容器结构(12)的顶部电极(38)和绝缘层(36)的导电和介电材料之间界面附近的一点，然后用第二慢速率实施各向异性的蚀刻直至MIM电容器结构(12)的底部电极(30)上所限定的一个蚀刻阻挡层(34)附近的一点。 | ||
| 申请公布号 | CN1568535A | 申请公布日期 | 2005.01.19 |
| 申请号 | CN02820001.2 | 申请日期 | 2002.10.08 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | M·奥莱瓦恩;K·塞兹 |
| 分类号 | H01L21/02 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 崔幼平 |
| 主权项 | 1.一种在集成电路(10)中制作金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构的方法，该方法包括：(a)在集成电路(10)中制作MIM电容器结构(12)的第一和第二腿(14)，第一和第二腿(14)彼此大致平行地延伸并在二者之间限定沟道(18)，每个腿(14)包括顶部和底部电极(38，30)，介于顶部和底部电极(38，30)之间的绝缘层(36)，以及面对沟道(18)的侧壁(40)；以及(b)制作沿着沟道(18)延伸的侧壁隔板(42)，侧壁隔板(42)包括导电层(44)和介于导电层(44)与第一腿(14)的侧壁(40)之间的介电层(46)，其中侧壁隔板(42)的导电层(44)与顶部电极(38)物理上分离开。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||