具有埋入式浮闸、尖头浮闸及尖头通道区之浮闸记忆体晶胞之半导体记忆体阵列

摘要

一种浮闸记忆体晶胞阵列，其中沟渠系形成于半导体基板的表面内。源极及汲极区域分别于沟渠下方，沿着基板的表面形成，在源极区域及汲极区域之间具有非线性通道区域。浮闸具有位在沟渠内的下部，以及位在基板上方的上部，且具有与基板表面平行延伸的侧向突出物。侧向突出物系藉由将一空穴蚀刻入牺牲层之暴露端内，并充填多晶矽所形成。控制闸系围绕着侧向突出物形成并与其绝缘。沟渠侧壁与基板表面以一锐角相接合，形成一指向浮闸且在与侧向突出物相对之方向上的尖锐边缘。