| 发明名称 | 半导体集成电路 | ||
| 摘要 | 通过实现考虑了构成电路块的各半导体元件的对称性的排布配置，来获得期望的电路特性。将发射极跟随器电路(22、23)配置在差动放大器(21)的附近，并且相对于差动放大器(21)的中心线被分别配置在线对称的位置上。将构成发射极跟随器电路(22、23)的双极晶体管(Q24、Q25)配置在构成差动放大器(21)的双极晶体管(Q21、Q22)的附近，并且被配置在90度不同的方向上。由此，通过没有从差动放大器(21)输入到发射极跟随器电路(22、23)的布线间的交叉，并且可以使布线长度相等，从而可以提高包含发射极跟随器电路(22、23)的差动放大器(1)的对称性，可以实现电路特性的提高。 | ||
| 申请公布号 | CN1181547C | 申请公布日期 | 2004.12.22 |
| 申请号 | CN02149823.7 | 申请日期 | 2002.11.06 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 椎名正弘 |
| 分类号 | H01L27/00 | 主分类号 | H01L27/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 马莹;邵亚丽 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路，具有包含多个半导体元件的电路块、以及连接到该电路块的一对发射极跟随器电路，构成所述一对发射极跟随器电路的晶体管在所述电路块附近，并且相对于其中心线进行线对称地配置，其特征在于，所述发射极跟随器电路包含将所述电路块的输出供给基极的第1晶体管，以及向该第1晶体管供给电流的为恒流晶体管的第2晶体管。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||