发明名称 移位寄存电路
摘要 一种移位寄存电路,具有多个串级的移位缓存单元,包括:PMOS晶体管其源极耦接前一级移位缓存单元的输出端的输出信号,其栅耦接收前一级的移位缓存单元的反相输出信号;第一NMOS晶体管,栅极连接PMOS晶体管漏极,其漏极耦接输入时钟信号;电容器,连接在第一NMOS晶体管栅极与源极之间;第二NMOS晶体管,栅极连接PMOS晶体管源极,其漏极连接第一NMOS晶体管源极,而其源极连接接地电源;第三NMOS晶体管,栅极连接后一级移位缓存单元输出端,其漏极连接到第一NMOS晶体管栅极与电容器的连接点,而其源极连接接地电源;第一反相器连接到第一NMOS晶体管;第二反相器与第一反相器连接,输出一输出信号。
申请公布号 CN1553454A 申请公布日期 2004.12.08
申请号 CN03141247.5 申请日期 2003.06.04
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 尤建盛
分类号 G11C19/28;G09G3/36 主分类号 G11C19/28
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 王志森;黄小临
主权项 1.一种移位寄存电路,具有多个串级的移位缓存单元,适用于一时钟信号、第一电源以及第二电源,所述移位缓存单元包括:一第一晶体管,具有一第一栅极、一第一漏极以及一第一源极,所述第一栅极连接到前一串级的移位缓存单元的输出端,所述第一漏极连接到所述第一电源;一第二晶体管,具有一第二栅极、一第二漏极以及一第二源极,所述第二栅极连接到后一串级的移位缓存单元的输出端,所述第二漏极连接到所述第一源极,而所述第二源极连接到所述第二电源;一第三晶体管,具有一第三栅极、一第三漏极以及一第三源极,所述第三栅极连接到所述第二栅极,所述第三漏极连接到所述第一电源;一第四晶体管,具有一第四栅极、一第四漏极以及一第四源极,所述第四栅极连接到所述第一栅极,所述第四漏极连接到所述第三源极,而所述第四源极连接到所述第二电源;一第五晶体管,具有一第五栅极、一第五漏极以及一第五源极,所述第五栅极连接到所述第三源极,所述第五漏极连接到所述第一源极与第二漏极的连接点,而所述第五源极连接到所述第二电源;一第六晶体管,具有一第六栅极、一第六漏极以及一第六源极,所述第六栅极连接到所述第五漏极,所述第六漏极耦接所述时钟信号,而所述第六源极连接到一输出端;以及一第七晶体管,具有一第七栅极、一第七漏极以及一第七源极,所述第七栅极连接到所述第五栅极,所述第七漏极连接到所述输出端,而所述第七源极连接到所述第二电源。
地址 台湾省新竹市